IS62WV5128ALL
IS62WV5128BLL
512K ×8低电压，
超低功耗CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 55ns ， 70ns的
CMOS低功耗运行
36毫瓦（典型值）的操作
9 μW （典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单电源供电
1.65V – 2.2V V
DD
(IS62WV5128ALL)
2.5V – 3.6V V
DD
(IS62WV5128BLL)
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
工业应用温度
ISSI
2003年4月
描述
该
ISSI
IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高
速度， 4M位静态RAM组织为512K字×8
位。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量高亮
高性能和低功耗的器件。
当
CS1
高（取消）设备呈现
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能
（WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IS62WV5128ALL和IS62WV5128BLL包装
在JEDEC标准的32引脚TSOP （I型） ， 32针
sTSOP （I型）和32引脚TSOP （ II型） 。
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×8
存储阵列
V
DD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CS1
OE
WE
控制
电路
版权所有2003集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
04/30/03
1
IS62WV5128ALL,
引脚说明
A0-A18
CS1
OE
WE
I/O0-I/O7
NC
V
DD
GND
IS62WV5128BLL
ISSI
地址输入
芯片使能输入1
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
无连接
动力
地
引脚配置
32针TSOP （I型） ， （封装代码T）
32针sTSOP （I型） （封装代码H ）
32针TSOP （II型）
（封装代码T2）
A11
A9
A8
A13
WE
A18
A15
V
DD
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
A15
A18
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
2
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
04/30/03
IS62WV5128ALL,
IS62WV5128BLL
ISSI
IS62WV5128BLL
2.5V - 3.6V
2.5V - 3.6V
1.65V - 2.2V
1.65V - 2.2V
工作范围（V
DD
)
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
IS62WV5128ALL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
DD
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
V
DD
与GND
储存温度
功耗
价值
-0.2到V
DD
+0.3
-0.2到V
DD
+0.3
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
W
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是
一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件的说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
会影响其可靠性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
DD
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
1.65-2.2V
2.5-3.6V
分钟。
1.4
2.2
—
—
1.4
2.2
–0.2
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
—
0.2
0.4
V
DD
+ 0.2
V
DD
+ 0.3
0.4
0.6
1
1
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -1.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
04/30/03
3
IS62WV5128ALL,
IS62WV5128BLL
ISSI
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
IS62WV5128ALL
（单元）
0.4V至V
DD
-0.2V
5纳秒
V
REF
参见图1和2
IS62WV5128BLL
（单元）
0.4V至V
DD
-0.3V
5ns
V
REF
参见图1和2
IS62WV5128ALL
1.65 - 2.2V
R1()
R2()
V
REF
V
TM
3070
3150
0.9V
1.8V
IS62WV5128BLL
2.5V - 3.6V
3070
3150
1.5V
2.8V
AC测试负载
R1
VTM
R1
VTM
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
图1
图2
4
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
04/30/03
IS62WV5128ALL,
IS62WV5128BLL
ISSI
马克斯。
70纳秒
25
30
10
10
0.35
0.35
单位
mA
mA
电源特性
(1)
（以上经营范围）
62WV5128ALL
(1.65V - 2.2V)
符号参数
I
CC
I
CC
1
V
DD
工作动态
电源电流
工作电源
当前
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
COM 。
IND 。
I
SB
1
V
DD
=最大，
CS1
= 0.2V COM 。
WE
= V
DD
-0.2V
IND 。
f=1
兆赫
V
DD
=最大，
COM 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
IND 。
CS1
= V
IH
,
F = 1 MH
Z
V
DD
=最大，
CS1
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
mA
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
15
15
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
62WV5128BLL
(2.5V - 3.6V)
符号参数
I
CC
I
CC
1
V
DD
工作动态
电源电流
工作电源
当前
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
COM 。
IND 。
马克斯。
55纳秒
40
45
15
15
0.35
0.35
马克斯。
70纳秒
35
40
15
15
0.35
0.35
单位
mA
mA
I
SB
1
V
DD
=最大，
CS1
= 0.2V COM 。
WE
= V
DD
-0.2V
IND 。
f=1
兆赫
V
DD
=最大，
COM 。
IND 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
CS1
= V
IH
,
F = 1 MH
Z
V
DD
=最大，
CS1
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
mA
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
15
15
15
15
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
04/30/03
5
