3.
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有说明
）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
符号
VCES
VGES
Ic
集电极电流
IC脉冲
IF
中频脉冲
Pc
Tj
TSTG
占空比= 100 ％
1ms
占空比= 50 ％
1ms
1设备
条件
Ic=1mA
最大
评级
600
±20
75
150
75
150
178
150
-40~ +125
2500
3.5
单位
V
V
A
集电极耗散功率
结温
储存温度
a
W
°C
°C
V
Nm
隔离
*终端和铜底座之间1
VISO
AC： 1分钟。
电压
*热敏电阻和其他人之间的2
螺丝
安装* 3
-
力矩
（* 1）所有的终端应该连接在一起时，隔离测试将被完成。
（* 2）的两个热敏电阻端子应连接在一起，彼此端子应连接在一起
和短路到基板上时，隔离测试将完成。
（ * 3 ）推荐值：安装2.5 3.5牛顿米（ M5 ）
4.电气特性（在环境温度为25 ° Cunless另有规定）
项
零栅极电压
集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 射极
阈值电压
集电极 - 发射极
饱和电压
输入电容
输出电容
特征
符号
I
CES
I
GES
V
GE
V
CE
条件
0 V, V
CE
= 600 V
0 V, V
GE
= ±20 V
20 V ， IC =
15
75
0
10
V
A
V
V
75毫安
芯片
终奌站
分钟。
-
-
6.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
芯片
终奌站
IF =
75 A
IC > 150A ， TJ = 125°C
中T = 25℃
T = 100℃
T =五十〇分之二十五℃，
-
-
-
30
-
465
3305
c
c
b
典型值。
-
-
6.7
2.0
b
2.3
5500
1000
850
0.4
0.25
0.1
0.4
0.04
2.1
2.4
-
-
5000
495
3375
MAX 。单位
1.0
200
7.7
b
b
mA
nA
V
V
V
GE （日）
V
CE
VCE （ SAT ）
V
GE
IC =
VGE =
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
吨
tr
tr
(i)
花花公子
tf
V
F
TRR
P
AV
V
CE
2.3
2.6
-
-
-
1.2
0.6
-
1.2
0.45
pF
逆变器
反向传输电容
开启时间
f=
1兆赫
VCC = 300 V
IC =
75 A
V
GE
±15 V
R
G
= 51
Ω
I
F
=
75 A
μs
打开-O FF时间
正向电压上
反向恢复时间
Allowabe雪崩能量
在短路切断
（不重复）
热敏电阻
c
c
2.5
2.8
0.3
-
-
V
μs
mJ
a
阻力
B值
R
B
520
3450
Ω
K
5.热电阻特性
项
热电阻（ 1个设备）
接触热阻（ 1个设备）
符号
R
日（J -C ）
条件
特征
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
0.05
马克斯。
单位
IGBT
FWD
R
TH（ C-F ）
随着热复合*
0.70
1.66 ° C / W
-
*这是被定义的安装在附加散热片的值
与热复合。
a
b
c
MS5F 5432
4
14
H04-004-03
6.指出模块
4MBI75牛逼-060
75A 600V
LOT号
米anufuc图灵的P花边
7.适用类别
本规范适用于IGBT模块名为4MBI75T -060
8.储存和运输的注意事项
该模块应存放在5至35的标准温度
Ｃ
和
湿度为45 75％。
商店模块与数温度变化的场所，以避免
缩合在模块的表面上。
避免接触腐蚀性气体和灰尘。
避免在模块上过大的外力。
存储模块与未处理的终端。
不要掉落或tranporting时，否则震荡的模块。
切换时间9.定义
½
½
90%
0V
L
0V
V
GE
t
rr
I
rr
90%
½
½
V
CE
VCC
Ic
90%
R
G
V
GE
V
CE
Ic
0V
0A
t
r（下ⅰ）
t
r
t
on
t
关闭
½
½
Ic
10%
10%
V
CE
t
f
10%
MS5F 5432
5
14
a
b
c
H04-004-03
