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数据表
电流模式PWM控制器
概述
该AP3842C / 3C / 4C / 5C是高性能固定
频率电流模式PWM控制器系列。
这些集成电路被用于离线优化和
用最少的外部DC-DC转换器应用
组件。它们具有欠压锁定
( UVLO )电路,低启动电流,修剪
振荡器,用于精确的占空比控制,电流检测
比较器提供最大电流限制和一
图腾柱输出级增加输出电流。
此外,这些芯片还具有精确的保护
防止过温,过电流和最大
输出功率。
该AP3842C和AP3844C有UVLO阈值
的16V (导通)和10V (关闭) ;相应的阈值
孩子的AP3843C和AP3845C是8.4 V(上)和
7.6V(off).
该AP3842C和AP3843C可以操作将至
占空比为100% ; AP3844C和AP3845C可以操作
从零到50%的占空比。
这些IC提供SOIC -8和DIP - 8封装
老少皆宜。
AP384XC
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
低启动电流: 50
A
强劲的V
REF
线路/负载调整
低压线路调整: 4mV的
低负载调节: 4mV的
在一个完整的高稳定性的参考电压
温度范围: 0.2mV /
o
C
工作频率高达500kHz
在一个完整的温高PWM频率稳定度
温度范围内: 2.5 %
在一个完整的支持部门高级PWM频率稳定度
供应电压范围: 0.2 %
精确的过温保护与滞回
TERESIS
UVLO迟滞与
应用
·
·
·
·
·
·
脱机转换器
DC-DC变换器
电压适配器
CRT显示器电源
台式机电源
DVD /机顶盒电源
SOIC-8
DIP-8
AP3842C / 3C / 4C / 5C图1.包装类型
2006年9月修订版1.1
BCD半导体制造有限公司
1
数据表
电流模式PWM控制器
引脚配置
AP384XC
P /男包
(DIP-8/SOIC-8)
COMP
V
FB
I
SENSE
R
T
/C
T
1
2
3
4
8
7
6
5
V
REF
V
CC
产量
GND
图2. AP3842C的引脚配置/ 3C / 4C / 5C (顶视图)
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
引脚名称
COMP
V
FB
I
SENSE
R
T
/C
T
功能
该引脚为误差放大器的输出,并提供用于环路补偿。
误差放大器的反相输入端。它通常被连接到开关
电源的输出通过一个电阻分压器。
的电压正比于电感器电流被连接到该输入端。 PWM的用途
此信息以终止输出开关导通。
振荡器频率和最大输出占空比由CON-编程
necting电阻R
T
到V
REF
和电容器C
T
到地面。操作至500 kHz的是possi-
BLE 。
组合式控制电路和电源地。
该输出直接驱动的功率MOSFET的栅极。峰值电流可达1.0 A的
来源和该引脚沉没。
正电源控制IC的。
这是在参考输出。它提供了充电电流为电容C
T
通过
电阻R
T
.
5
6
7
8
GND
产量
V
CC
V
REF
2006年9月修订版1.1
BCD半导体制造有限公司
2
数据表
电流模式PWM控制器
功能框图
AP384XC
V
CC
GND
7
34V
5
UVLO
S / R
5V
REF
8
V
REF
2.50V
国内
BIAS
VREF
良好
逻辑
R
T
/C
T
4
OSC
T
6
产量
温度过高
保护
错误
AMP
(注)
2R
S
R
R
1V
当前
SENSE
比较
PWN
LATCH
注意:切换触发器使用
只有3844C / 45C
V
FB
COMP
I
SENSE
2
1
3
AP3842C / 3C / 4C / 5C图3.功能框图
2006年9月修订版1.1
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3
数据表
电流模式PWM控制器
订购信息
AP384XC
电路类型
M: SOIC - 8
P: DIP - 8
-
E1 :无铅
空白:铅锡
TR :磁带和卷轴
空白:管
AP384XC
温度
TURE系列
-40到85
o
C
产品型号
铅锡
AP3842/3/4/5CM
AP3842/3/4/5CMTR
无铅
AP3842/3/4/5CM-E1
AP3842/3/4/5CMTR-E1
AP3842/3/4/5CP-E1
铅锡
3842/3/4/5CM
3842/3/4/5CM
标记ID
无铅
3842/3/4/5CM-E1
3842/3/4/5CM-E1
AP3842/3/4/5CP-E1
填料
TYPE
磁带&卷轴
SOIC-8
DIP-8
-40到85
o
AP3842 / 3/4 / 5CP
AP3842/3/4/5CP
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。
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4
数据表
电流模式PWM控制器
绝对最大额定值(注1 , 2 )
参数
电源电压
输出电流
模拟输入
误差放大器输出灌电流
在T功耗
A
& LT ; 25
o
C( DIP - 8 )
在T功耗
A
<25
o
C( SOIC - 8 )
结工作温度
DIP-8
热阻(结到环境)
SOIC-8
存储温度范围
焊接温度(焊接, 10秒)
ESD (机模式)
T
英镑
T
领导
R
θJA
160
-65到150
+300
250
o
C / W
o
C
o
AP384XC
符号
V
CC
I
O
V( ANA )
I
SINK
( E.A )
P
D
(注3)
P
D
(注3)
T
J
价值
30
单位
V
A
V
mA
mW
mW
o
o
±
1
-0.3 6.3
10
1000
460
-40至150
140
C
C / W
C
V
注1 :
应力大于下"Absolute最大Ratings"上市可能会造成永久性损坏
装置。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出indi-任何其他条件
下"Recommended工作Conditions" cated是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"的扩展
期间可能会影响器件的可靠性。
注2 :所有的电压都是相对于针脚5 ,所有电流都积极到指定的终端。
注3 :板厚1.6毫米,板尺寸90毫米
x
90mm.
推荐工作条件
参数
振荡频率
符号
f
T
A
-40
最大
500
85
单位
千赫
o
环境温度
C
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