2SK2895-01
FAP -IIIB系列
FUJI功率MOSFET
200511
N沟道硅功率MOSFET
外形图[MM ]
TO-220AB
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
等效电路示意
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
最大雪崩能量
最大功率耗散
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
I
D
I
P
V
GS
E
AV
*1
P
D
T
ch
T
英镑
评级
60
±45
±180
±20
461.9
60
+150
-55到+150
单位
V
A
A
V
mJ
W
°C
°C
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
* 1 L = 0.304mH ， VCC = 24V
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 1毫安
V
GS
=0V
I
D
= 1毫安
V
DS
=V
GS
V
DS
=60V V
GS
=0V
V
GS
=±20V V
DS
=0V
I
D
=22.5A
I
D
=22.5A
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 30V我
D
=45A
V
GS
=10V
R
GS
=10
Ω
L=100
μ
H T
ch
=25°C
I
F
= 45A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 45A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
V
DS
=25V
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
V
GS
=4V
V
GS
=10V
分钟。
60
1.0
典型值。
马克斯。
单位
V
V
μA
mA
nA
mΩ
S
pF
1.5
2.0
10
500
0.2
1.0
10
100
15
20
10
12
15.0
35.0
2900
4350
930
1400
260
390
13
30
35
50
190
290
75
140
45
0.95
1.43
55
0.10
ns
A
V
ns
μC
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
2.08
75.0
单位
° C / W
° C / W
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
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2SK2895-01
FUJI功率MOSFET
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
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