2SK2735 （L） 2SK2735 （S）
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1029-0200
（上一个： ADE- 208-543 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
R
DS
= 20毫欧（典型值） 。
高速开关
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -B
（包名称： DPAK （ L） - （ 2 ） ）
4
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C
（包名称： DPAK （ S） ）
4
G
1
2
3
D
1.门
2.漏
3.源
4.漏
1
2 3
S
Rev.2.00 2005年9月7日第1页7
2SK2735 （L） 2SK2735 （S）
反向漏电流 -
源极到漏极电压
反向漏电流I
DR
(A)
50
40
10 V
30
5V
V
GS
= 0, –5 V
20
10
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.02
1
0.1
θch
- C （T ） =
γs
(t)
θch
– c
θch
- C = 6.25 ° C / W ，TC = 25°C
u
tP
LSE
PDM
PW
T
0.03
0.0
D=
1s
ho
PW
T
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
开关时间测试电路
PW （S ）
波形
90%
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
VIN
VOUT
10%
10%
10%
VIN
10 V
50
V
DD
= 10 V
TD （上）
90%
90%
TD （关闭）
tf
tr
Rev.2.00 2005年9月7日第5 7
