2SK1095
硅N沟道MOS FET
应用
TO–220FM
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4 V栅极驱动器
- 可从5 V电源驱动
适用于电机驱动器， DC-DC变换器，
电源开关和电磁阀驱动器
2
12
3
1
1.门
2.漏
3.源
3
表1绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
I
DR
PCH **
总胆固醇
TSTG
评级
60
±20
25
100
25
30
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
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*
PW
≤
10微秒，占空比
≤
1 %
**
在T值
C
= 25 °C
2SK1095
表2电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
民
60
典型值
—
最大
—
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
= -100 μA ，V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V *
I
D
= 15 A，V
GS
= 10 V *
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
±20
—
—
V
———————————————————————————————————————————
—
—
1.0
—
—
—
—
0.033
0.05
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
*脉冲测试
见2SK972的characterist曲线。
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
12
—
—
—
—
—
—
—
—
20
1400
720
220
15
130
270
180
1.3
±10
250
2.0
0.04
0.06
—
—
—
—
—
—
—
—
—
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
I
F
= 25 A，V
GS
= 0
I
F
= 25 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 50 A / μs的
I
D
= 15 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 2
A
A
V
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————
——————————–
I
D
= 15 A，V
GS
= 4 V *
I
D
= 15 A，V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
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————————————————————————————————
————————————————————————————————
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————————————————————————————————
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———————————————————————————————————————————
—
135
—
ns
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