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中等功率晶体管( 60V , 0.5A )
2SC5876
■特点
1 )高速开关。 ( TF:典型值: 80ns的,在我
C
= 500mA)请
2)低的饱和电压,典型地
(典型值:为150mV ,在我
C
= 100mA时我
B
= 10毫安)
3 )强大的放电功率为感性负载和
电容负载。
4 )补充了2SA2088
尺寸
(单位:毫米)
(1)
0.3
(3)
1.25
2.1
0.2
0.15
(2)
■应用
小信号低频放大器
高速开关
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
0.1Min.
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: VS
Structure
NPN硅外延平面晶体管
Packaging
特定网络阳离子
TYPE
CODE
基本订购单位
(件)
2SC5876
TAPING
T106
3000
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度范围
1 PW = 10毫秒
2安装在一个推荐的焊盘的每个终端。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
60
60
6
0.5
1.0
200
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
1
2
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c
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0.7
0.9
1.3
2.0
UMT3
0.65 0.65
1/3
2011.03 - Rev.B的
2SC5876
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
符号
BV
CBO
分钟。
60
60
6
120
典型值。
150
300
5
70
130
80
马克斯。
1.0
1.0
300
390
单位
V
V
V
μA
μA
mV
兆赫
pF
ns
ns
ns
I
C
=
100μA
I
C
=
1mA
I
E
=
100μA
V
CB
=
40V
V
EB
=
4V
I
C
=
100mA时我
B
=
10mA
V
CE
=
2V ,我
C
=
50mA
V
CE
=
10V ,我
E
=
百毫安,女
=
10MHz
V
CB
=
10V ,我
E
=
0毫安,女
=
1MHz
I
C
=500m
A,
I
B1
=
50mA
I
B2
=
50mA
V
CC
25V
1
1
数据表
条件
集电极 - 发射极击穿电压BV
首席执行官
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极电压staturation
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
1脉冲测量
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
fT
COB
TSTG
tf
h
FE
Q
120-270
R
180-390
ⅵELECTRICAL
特性曲线
1000
Ta=25°C
V
CC
=25V
I
C
/I
B
=10/1
1000
V
CE
=2V
1000
Ta=125°C
直流电流增益:H
FE
Ta=25°C
TSTG
V
CE
=5V
直流电流增益:H
FE
切换时间(纳秒)
100
TA
40°C
Ta=25°C
100
V
CE
=2V
V
CE
=3V
100
Tf
10
10
10
0.01
0.1
1
10
1
0.001
0.01
0.1
1
1
0.001
0.01
0.1
1
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1开关时间
图2直流电流增益与集电极
当前
图3直流电流增益与集电极
当前
10
I
C
/I
B
=10/1
10
Ta=25°C
10
I
C
/I
B
=10/1
基极发射极饱和
电压: V
BE
(SAT)
(V)
集电极饱和
电压: V
CE
(饱和) (V)的
1
Ta=125°C
集电极饱和
电压: V
CE
(饱和) (V)的
TA
40°C
1
1
Ta=25°C
Ta=125°C
0.1
Ta=25°C
TA
40°C
0.1
I
C
/I
B
=20/1
0.1
I
C
/I
B
=10/1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图4集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图5集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图6基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
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2011.03 - Rev.B的
2SC5876
数据表
1
集电极输出电容:C
oB
(PF )
1000
跃迁频率:F
T
(兆赫)
Ta=25°C
V
CE
=10V
100
Ta=25°C
f=1MHz
集电极电流:我
C
(A)
Ta=125°C
100
0.1
Ta=25°C
10
TA
40°C
10
0.01
0
V
CE
=2V
0.5
1
1.5
1
0.001
0.01
0.1
1
10
1
0.1
1
10
100
基地发射极电压: V
BE
(V)
发射极电流:我
E
(A)
基地集电极电压: V
CB
(V)
图7地面发射propagat上
特征
图8跃迁频率
图9集电极输出电容
切换
特性测量电路
R
L
=50Ω
V
IN
I
B1
I
C
V
CC
25V
I
B2
1%
P
W
P
W
50 S
占空比
I
B1
基极电流
波形
90%
集电极电流
波形
I
C
10%
TSTG铁蛋白
I
B2
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R1120A
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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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