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2SA1941
东芝三极管
PNP硅三重扩散型
2SA1941
功率放大器的应用
单位:mm
高击穿电压: V
首席执行官
=
140
V(分钟)
补充2SC5198
推荐70 -W高保真音频放大器
输出级。
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
( TC = 25 ° C)
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
140
140
5
10
1
100
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
JEDEC
°C
°C
2-16C1A
JEITA
东芝
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
重量:7.6克(典型值)。
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使操作
条件(即工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
1
2006-11-09
2SA1941
电气特性
( TC = 25 ° C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
直流电流增益
(注)
h
FE (2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE (SAT)
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
=
140
V,I
E
= 0
V
EB
=
5
V,I
C
= 0
I
C
=
50
妈,我
B
= 0
V
CE
=
5
V,I
C
=
1
A
V
CE
=
5
V,I
C
=
5
A
I
C
=
7
A,I
B
=
0.7
A
V
CE
=
5
V,I
C
=
5
A
V
CE
=
5
V,I
C
=
1
A
V
CB
=
10
V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
140
55
35
典型值。
83
0.8
1.0
30
320
最大
5.0
5.0
160
2.0
1.5
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
注:H
FE (1)
分类R: 55 110 ,O: 80 160
记号
东芝
A1941
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
特征
指标
2
2006-11-09
2SA1941
I
C
– V
CE
10
250
8
200
150
共发射极
TC = 25°C
100
6
50
4
40
30
2
20
IB =
10
mA
2
4
6
8
10
8
10
I
C
– V
BE
(A)
集电极电流I
C
集电极电流I
C
(A)
6
4
TC = 100℃
25°C
2
25°C
共发射极
VCE =
5
V
0
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
V
CE (SAT)
– I
C
10
1000
h
FE
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
TC = 100℃
1
直流电流增益
FE
100
TC = 25°C
TC =
25°C
TC = 100℃
0.1
TC =
25°C
TC = 25°C
0.01
0.01
0.1
1
共发射极
IC / IB = 10
10
100
10
集电极电流I
C
(A)
1
0.01
共发射极
VCE =
5
V
0.1
1
10
集电极电流I
C
(A)
安全工作区
50
30
集成电路最大值(脉冲) *
1毫秒*
IC MAX(连续)
(A)
10
5
3
10毫秒*
100毫秒*
集电极电流I
C
直流操作
TC = 25°C
1
0.5
0.3
* :单不重复
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
0.1
线性地增加
最大VCEO
30
100
300
1000
温度。
0.05
10
2 3
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
3
2006-11-09
2SA1941
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
4
2006-11-09
该数据表已经从下载:
www.datasheetcatalog.com
数据表的电子元件。
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1941
描述
·带
TO-3P (Ⅰ)包
.Complement
键入2SC5198
应用
“权力
扩增fi er应用
※推荐
为70W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形(TO -3P (Ⅰ) )和符号
描述
绝对最大额定值( TC = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
导½
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
ES
CH
发射极开路
开基
MIC
E
条件
ND
O
OR
UCT
价值
-140
-140
-5
-10
-1
单位
V
V
V
A
A
W
集电极开路
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
100
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
= -7 ,我
B
=-0.7A
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -140V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
55
35
30
-140
2SA1941
典型值。
最大
单位
V
-2.0
-1.5
-5
-5
160
V
V
μA
μA
固电
IN
输出电容
导½
O
h
FE-1
分类
R
55-110
80-160
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
320
兆赫
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1941
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1941
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1941
描述
·采用TO- 3P ( I)包
·补键入2SC5198
应用
·功率放大器应用
·推荐70W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形(TO -3P (Ⅰ) )和符号
描述
绝对最大额定值( TC = 25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-140
-140
-5
-10
-1
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
= -7 ,我
B
=-0.7A
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -140V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
55
35
-140
2SA1941
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
-2.0
-1.5
-5
-5
160
V
V
A
A
30
320
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1941
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1941
4
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SA1941
描述
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE ( SAT )
= - 2.0V (最小值) @I
C
=- 7A
良好
h的线性度
FE
.Complement
键入2SC5198
应用
“权力
扩增fi er应用
※推荐
为70W高保真音频
放大器输出级的应用程序
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
-140
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
-140
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
-5
V
I
C
集电极电流连续
-10
A
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
-1
A
P
C
100
W
T
J
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
2SA1941
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ;我
B
= 0
-140
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -7.0A ;我
B
= -0.7A
B
-2.0
V
V
BE (
on
)
基射极电压上
I
C
= -5A ; V
CE
= -5V
-1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -140V ;我
E
=0
-5
μA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-5
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
55
160
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -5A ; V
CE
= -5V
35
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
= -10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
320
pF
f
T
电流增益带宽积
I
C
= -1A ; V
CE
= -5V
30
兆赫
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SA1941
ISC的网站: www.iscsemi.cn
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1941
描述
·带
TO-3P (Ⅰ)包
.Complement
键入2SC5198
应用
“权力
扩增fi er应用
※推荐
为70W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形(TO -3P (Ⅰ) )和符号
描述
绝对最大额定值( TC = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-140
-140
-5
-10
-1
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
JMnic
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= -50mA ;我
B
=0
I
C
= -7 ,我
B
=-0.7A
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -140V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
55
35
30
320
-140
2SA1941
典型值。
最大
单位
V
-2.0
-1.5
-5
-5
160
V
V
μA
μA
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1941
图2外形尺寸
3
JMnic
硅PNP功率晶体管
2SA1941
4
<zy \\英镑.uj J.
20斯特恩AVE 。
SPRINGFIELD ,新泽西州07081
U.S.A.
呐。
,U
电话: ( 973 ) 376-2922
(212)227-6005
传真: ( 973 ) 376-8960
硅PNP功率晶体管
2SA1941
描述
低集电极饱和电压 -
: V
C
E
(
SAT ) = - 2.0V (最小值) @l
c
=- 7A
h的线性度好
FE
补到类型2SC51 98
应用
功率放大器应用
推荐70W高保真音频
放大器输出级的应用程序
I
\
-<
3
3
I
f
PIN 1.BASE
2.收集
3.辐射源
TO- 3PN封装
M
绝对最大额定值(T
a
=25'C)
符号
参数
价值
单位
I
.fy
K
W
:
^
r!
j
f
VCBO
集电极 - 基极电压
-140
V
I
I
':
I
p
- *它* -J
FFL
III * - 'D
-*
*--R
VCEO
集电极 - 发射极电压
-140
V
mm
VEBO
发射极 - 基极电压
-5
V
暗淡
A
B
C
D
F
F
G
H
J
K
L
N
最大
Ic
集电极电流连续
-10
A
IB
基极电流连续
集电极耗散功率
@T.-25°r
结温
-1
A
PC
100
W
Tj
150
°C
TSTG
存储温度范围
-55-150
c
19.90 20.10
15.50 15.70
4.70 4.90
0.90
1.10
1 90 2 10
3.40
3.60
3.10
2.90
3.20
3.40
0.605
0.595
20.50 20.70
1.90
2.10
10.89 10.91
q
4.90 J 5.10
R
3.35 3.45
S 1.995
2.005
u
5.90 >.1
\
Y I 9.90 1<>.1
NJ半导体保留更改测试条件,参数限制和封装尺寸不正确
通知。提供的信息NJ半导体被认为是既准确又可靠的时候ot'going
按。然而, NJ半导体承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
NJ半导体鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
质量半导体
硅PNP功率晶体管
电气特性
TC = 25 ° C除非另有说明
符号
参数
条件
2SA1941
典型值。
最大
单位
V( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
l
c
= -50mA ;我
B
= 0
-140
V
VCE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
LC = -7.0A ;我
B
= -0.7A
-2.0
V
VSE (上)
基射极电压上
lc=-5A;V
CE
=-5V
-1.5
V
ICBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -140V ;我
E
=0
-5
WA
IEBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ;升
c
=0
-5
nA
hpE-1
直流电流增益
lc=-1A;V
CE
=-5V
55
160
hpE-2
直流电流增益
LC = -5A ; VCE = -5V
35
COB
输出电容
l
E
=0;VcB=-10V;f
te
ST = 1.0MHz的
320
pF
ft
目前, GAIN-带宽积
LC = -1A ; V
CE
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兆赫
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