28LV64A
64K （ 8K ×8 ）低电压CMOS EEPROM
特点
2.7V至3.6V电源
读取时间-300纳秒
CMOS技术的低功耗
- 8毫安活动
- 50
一种CMOS待机电流
字节写入时间为3 ms
数据保留>200年
高耐用性 - 最少10万次擦除/写
周期
自动写操作
- 内部控制定时器
- 自动清除写入操作之前
- 片内地址和数据锁存器
- 数据查询
就绪/忙
芯片清零操作
增强的数据保护
- V
CC
探测器
- 脉冲滤波器
- 写保护
电子签名的设备Identi网络阳离子
组织8Kx8 JEDEC标准引脚
- 28脚双列直插式封装
- 32引脚芯片载体（无引线或塑料）
- 28引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ）
8x20mm
- 28引脚超小外形封装（ VSOP ）
8x13.4mm
可扩展工作温度范围：
- 商业： 0 ° C至+ 70°C
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
封装类型
RDY / BSY
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A6
5
A9
A5
6
A11 A4
7
A3
8
OE
A10 A2
9
A1
10
CE
A0
11
I/O7
NC
12
I/O6
I/O0
13
I/O5
I/O4
I/O3
2
RDY / BSY
1
NU
4
A7
3
A12
32
VCC
31
WE
18
19
30
NC
29
A8
28
A9
27
A11
26
NC
25
OE
24
A10
23
CE
22
I/O7
21
I/O6
14
15
16
17
引脚1指示灯PLCC封装的顶部
OE
A11
A9
A8
NC
WE
VCC
RDY / BSY
A12
A7
A6
A5
A4
A3
OE
A11
A9
A8
NC
WE
V
CC
RDY / BSY
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
描述
Microchip Technology Inc.的28LV64A是CMOS 64K非VOL-
atile电可擦除PROM由8位， 8K字。
该28LV64A是像一个静态RAM的读或写访问的
循环而没有外部元件的需要。在一个“字节
写“时，地址和数据被内部地锁存，从而释放
微处理器的地址和数据总线，用于其它操作。跟着
哞哞叫写周期的开始，该设备将进入繁忙状态
而自动清除，并用一个跨写入数据锁存
最终控制定时器。要确定写周期完成，
用户有监视就绪/忙输出的选择或
使用数据轮询。的Ready / Busy引脚是开漏输出，
它可以方便地CON组fi guration在“线或”系统。 Alterna-
疑心，数据轮询允许读取该位置的用户最后写入
当写操作完成。 CMOS的设计和亲
cessing允许在系统中使用该部分，其中减少
电力消耗和可靠性是必需的。一个完整的家庭
包是提供给提供应用的最大灵活性
系统蒸发散。
框图
I/O0...................I/O7
VSS
VCC
CE
OE
WE
RDY /
忙
A0
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
A12
数据保护
电路
CHIP ENABLE /
OUTPUT ENABLE
控制逻辑
自动擦除/写
定时
编程电压
GENERATION
Y
解码器
数据
调查
输入/输出
缓冲器
L
a
t
c
h
e
s
X
解码器
1996年Microchip的科技公司
初步
本文档与FrameMaker的4 0 4创建
I/O1
I/O2
VSS
NU
I/O3
I/O4
I/O5
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
门控
64K位
细胞矩阵
DS21113B第1页
20
DIP / SOIC
PLCC / LCC
A10
CE
I/07
I/06
I/05
I/04
I/03
VSS
I/02
I/01
I/00
A0
A1
A2
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
TSOP
VSOP
28LV64A
1.0
电动
特征
表1-1：
名字
A0 - A12
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
RDY / BUSY
V
CC
V
SS
NC
NU
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
就绪/忙
+电源
地
无连接;无内部连接
未使用;无需外部连接是
允许
PIN机能的表
功能
地址输入
最大额定值*
VCC输入电压w.r.t. V
SS
...... -0.6V至+ 6.25V
在OE w.r.t.电压V
SS
...................... -0.6V至+ 13.5V
在A9 w.r.t.电压V
SS
....................... -0.6V至+ 13.5V
输出电压w.r.t. V
SS
............... -0.6V到VCC + 0.6V
储存温度.......................... -65C至+ 150C
环境温度。电源采用.....- 55
°
C至+ 125
°
C
*注：超出上述“绝对最大值” ，可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该装置的这些或任何其他条件和功能操作
以上这些在本规范的操作列表显示为
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
表1-2：
读/写操作直流特性
V
CC
= 2.7 3.6V
商业（ C） ：环境温度Tamb =
0
°
C至70
°
C
产业
（Ⅰ） ：环境温度Tamb = -40
°
C至85
°
C
参数
输入电压
输入漏
输入电容
输出电压
状态
逻辑“1”的
逻辑“ 2 ”
—
—
逻辑“1”的
逻辑“0”的
—
—
TTL输入
符号
V
IH
V
IL
I
LI
C
IN
V
OH
V
OL
I
LO
C
OUT
I
CC
民
2.0
—
—
2.0
最大
0.6
5
6
单位
V
V
A
pF
V
V
A
pF
mA
条件
0.3
—
—
—
5
12
8
输出漏
输出电容
电源电流，活动
电源电流，待机
TTL输入
I
CC
(
S
)
TTL
TTL输入
I
CC
(
S
)
TTL
CMOS输入I
CC
(
S
)
CMOS
—
2
3
100
mA
mA
A
V
IN
= 0V至V
CC
+1
VIN = 0V ; TAMB = 25
°
C;
F = 1兆赫（注1）
I
OH
= -100
A
I
OL
= 1.0毫安
I0
L
= 2.0毫安RDY /忙
V
OUT
= 0V至V
CC
+0.1V
V
OUT
= 0V ; TAMB = 25
°
C;
F = 1兆赫（注1）
F = 5兆赫（注2）
I
O
= OMA
V
CC
= 3.3
CE = V
IL
CE = V
IH
(0
°
C至70
°
C
°
)
CE = V
IH
(-40
°
C至85
°
C
°
)
CE = V
CC
-3.0到V
CC
+1
注1 ：未经过100％测试。
2 ：交流电源电流5MHz以上：2毫安/兆赫。
DS21113B第2页
初步
1996年Microchip的科技公司
28LV64A
表1-3：
读操作交流特性
AC测试波形：
输出负载：
输入上升和下降时间：
环境温度：
V
IH
= 2.0V; V
IL
= 0.6V; V
OH
= V
OL
= V
CC
/2
1 TTL负载+ 100 pF的
20纳秒
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0
°
C至+70
°
C
产业
（Ⅰ） ：环境温度Tamb = -40
°
C至+ 85
°
C
最大
单位
条件
OE = CE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
（注1 ）
（注1 ）
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE高到输出浮动
从地址，CE输出保持或
OE ，以先到为准。
符号
28LV64-30
民
t
加
t
CE
t
OE
t
关闭
t
OH
—
—
—
—
0
0
10M
300
300
150
60
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
周期
耐力
25
°
C， VCC = 5.0V ，
块模式（注2 ）
注1 ：未经过100％测试。
2：该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的估计耐用
应用程序，请参阅可以在我们的论坛或网站获得的总耐力模式。
图1-1：
读操作波形
V
IH
地址
V
IL
V
IH
CE
V
IL
t
CE(2)
地址有效
V
IH
OE
V
IL
V
OH
数据
V
OL
t
加
V
IH
WE
V
IL
注：（1 ）T
关闭
被指定为OE或CE ，以先到为准
（ 2 ） OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
（3 ）该参数进行采样，不是100 ％的测试
t
OFF(1,3)
t
OE(2)
高Z
t
OH
有效的输出
高Z
1996年Microchip的科技公司
初步
DS21113B第3页
28LV64A
表1-4：
字节写AC特性
AC测试波形：
输出负载：
输入上升/下降时间：
环境温度：
参数
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
OE保持时间
OE建立时间
数据有效时间
时间到设备忙
写周期时间（ 28LV64A ）
V
IH
= 2.0V; V
IL
= 0.6V; V
OH
= V
OL
= V
CC
/2
1 TTL负载+ 100 pF的
20纳秒
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
产业
（ I） ：环境温度Tamb = -40 ° C至+ 85°C
最大
单位
备注
符号
民
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WPL
t
OEH
t
OES
t
DV
t
DB
t
WC
10
100
120
10
150
10
10
1000
50
3
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
1.5毫秒的典型
（注2 ）
（注1 ）
注1 ：在写周期可以启动具有CE或WE变低，最后的为准。该数据被锁存的
CE或WE的上升沿，以先到为准科幻RST 。
2:
数据必须在最大1000ns最大有效。之后开始写周期，并且必须是稳定的，至少直到吨
DH
WE或CE的上升沿后，以先到为准科幻RST 。
图1-2：
编程波形
地址
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
AS
t
DV
t
AH
t
WPL
t
DS
t
DH
CE， WE
DATA IN
V
IH
V
IL
t
OES
OE
V
IH
V
IL
t
OEH
V
OH
RDY / BUSY
忙
V
OL
TWC
t
DB
准备
DS21113B第4页
初步
1996年Microchip的科技公司
废弃的设备
28LV64A
64K （ 8K ×8 ）低电压CMOS EEPROM
特点
2.7V至3.6V电源
读取时间-300纳秒
CMOS技术的低功耗
- 8毫安活动
- 50
A
CMOS待机电流
字节写入时间为3 ms
数据保留>200年
高耐用性 - 最少10万次擦除/写
周期
自动写操作
- 内部控制定时器
- 自动清除写入操作之前
- 片内地址和数据锁存器
- 数据查询
就绪/忙
芯片清零操作
增强的数据保护
- V
CC
探测器
- 脉冲滤波器
- 写保护
电子签名的设备标识
组织8Kx8 JEDEC标准引脚
- 28脚双列直插式封装
- 32引脚芯片载体（无引线或塑料）
可扩展工作温度范围：
- 商业： 0 ° C至+ 70°C
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
封装类型
RDY / BSY
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A6
5
A9
A5
6
A11 A4
7
A3
8
OE
A10 A2
9
A1
10
CE
A0
11
I/O7
NC
12
I/O6
I/O0
13
I/O5
I/O4
I/O3
2
RDY / BSY
1
NU
4
A7
3
A12
32
VCC
31
WE
18
19
30
NC
29
A8
28
A9
27
A11
26
NC
25
OE
24
A10
23
CE
22
I/O7
21
I/O6
14
15
16
17
引脚1指示灯PLCC封装的顶部
框图
I/O0...................I/O7
VSS
VCC
CE
OE
WE
RDY /
忙
A0
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
A12
数据保护
电路
CHIP ENABLE /
OUTPUT ENABLE
控制逻辑
自动擦除/写
定时
编程电压
GENERATION
Y
解码器
数据
调查
输入/输出
缓冲器
描述
Microchip Technology Inc.的28LV64A是CMOS 64K非VOL-
atile电可擦除PROM由8位， 8K字。
该28LV64A是像一个静态RAM的读或写访问的
循环而没有外部元件的需要。在一个“字节
写“时，地址和数据被内部地锁存，从而释放
微处理器的地址和数据总线，用于其它操作。跟着
哞哞叫写周期的开始，该设备将进入繁忙状态
而自动清除，并用一个跨写入数据锁存
最终控制定时器。要确定写周期完成，
用户有监视就绪/忙输出的选择或
使用数据轮询。的Ready / Busy引脚是开漏输出，
它可以方便地CON组fi guration在“线或”系统。 Alterna-
疑心，数据轮询允许读取该位置的用户最后写入
当写操作完成。 CMOS的设计和亲
cessing允许在系统中使用该部分，其中减少
电力消耗和可靠性是必需的。一个完整的家庭
包是提供给提供应用的最大灵活性
系统蒸发散。
L
a
t
c
h
e
s
X
解码器
2004年Microchip的科技公司
初步
I/O1
I/O2
VSS
NU
I/O3
I/O4
I/O5
门控
64K位
细胞矩阵
DS21113E第1页
20
DIP / SOIC
PLCC
28LV64A
1.0
电动
特征
表1-1：
名字
A0 - A12
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
RDY / BUSY
V
CC
V
SS
NC
NU
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
就绪/忙
+电源
地
无连接;无内部连接
未使用;无需外部连接是
允许
PIN机能的表
功能
地址输入
最大额定值*
VCC输入电压w.r.t. V
SS
...... -0.6V至+ 6.25V
在OE w.r.t.电压V
SS
...................... -0.6V至+ 13.5V
在A9 w.r.t.电压V
SS
...................... -0.6V至+ 13.5V
输出电压w.r.t. V
SS
............... -0.6V到VCC + 0.6V
储存温度..........................- 65°C至+ 150°C
环境温度。电源采用.....- 55 ° C至+ 125°C
*注：超出上述“绝对最大值” ，可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该装置的这些或任何其他条件和功能操作
以上这些在本规范的操作列表显示为
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
表1-2：
读/写操作直流特性
V
CC
= 2.7 3.6V
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0 ° C至70℃
产业
（ I） ：环境温度Tamb = -40 ° C至85°C
参数
输入电压
输入漏
输入电容
输出电压
状态
逻辑“1”的
逻辑“ 2 ”
—
—
逻辑“1”的
逻辑“0”的
—
—
TTL输入
符号
V
IH
V
IL
I
LI
C
IN
V
OH
V
OL
I
LO
C
OUT
I
CC
民
2.0
—
—
2.0
最大
0.6
5
6
单位
V
V
A
pF
V
V
A
pF
mA
条件
0.3
—
—
—
5
12
8
输出漏
输出电容
电源电流，活动
电源电流，待机
TTL输入
I
CC
(
S
)
TTL
TTL输入
I
CC
(
S
)
TTL
CMOS输入I
CC
(
S
)
CMOS
—
2
3
100
mA
mA
A
V
IN
= 0V至V
CC
+1
VIN = 0V ;环境温度Tamb = 25°C ;
F = 1兆赫（注1）
I
OH
= -100A
I
OL
= 1.0毫安
I0
L
= 2.0毫安RDY /忙
V
OUT
= 0V至V
CC
+0.1V
V
OUT
= 0V ;环境温度Tamb = 25°C ;
F = 1兆赫（注1）
F = 5兆赫（注2）
I
O
= OMA
V
CC
= 3.3
CE = V
IL
CE = V
IH
（ 0 ° C至70 °C° ）
CE = V
IH
（ -40 ° C至85°C ° ）
CE = V
CC
-3.0到V
CC
+1
OE = WE = V
CC
所有其它输入等于V
CC
or
V
SS
注1 ：未经过100％测试。
2 ：交流电源电流5MHz以上：2毫安/兆赫。
DS21113E第2页
初步
2004年Microchip的科技公司
28LV64A
表1-3：
读操作交流特性
AC测试波形：
输出负载：
输入兴衰
时间：
环境温度：
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE高到输出浮动
从地址，CE输出保持或
OE ，以先到为准。
符号
民
V
IH
= 2.0V; V
IL
= 0.6V; V
OH
= V
OL
= V
CC
/2
1 TTL负载+ 100 pF的
20纳秒
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
产业
（ I） ：环境温度Tamb = -40 ° C至+ 85°C
最大
单位
条件
OE = CE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
（注1 ）
（注1 ）
28LV64-30
t
加
t
CE
t
OE
t
关闭
t
OH
—
—
—
—
0
0
10M
300
300
150
60
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
周期
耐力
25 ° C， VCC = 5.0V ，
块模式（注2 ）
注1 ：未经过100％测试。
2：该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的估计耐用
应用程序，请参阅可以在我们的论坛或网站获得的总耐力模式。
图1-1：
读操作波形
V
IH
地址
V
IL
V
IH
CE
V
IL
t
CE(2)
地址有效
V
IH
OE
V
IL
V
OH
数据
V
OL
t
加
V
IH
WE
V
IL
注：（1 ）T
关闭
被指定为OE或CE ，以先到为准
（ 2 ） OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
（3 ）该参数进行采样，不是100 ％的测试
t
OFF(1,3)
t
OE(2)
高Z
t
OH
有效的输出
高Z
2004年Microchip的科技公司
初步
DS21113E第3页
28LV64A
表1-4：
字节写AC特性
AC测试波形：
输出负载：
输入上升/下降时间：
环境温度：
参数
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
OE保持时间
OE建立时间
数据有效时间
时间到设备忙
写周期时间（ 28LV64A ）
符号
民
V
IH
= 2.0V; V
IL
= 0.6V; V
OH
= V
OL
= V
CC
/2
1 TTL负载+ 100 pF的
20纳秒
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
产业
（ I） ：环境温度Tamb = -40 ° C至+ 85°C
最大
单位
备注
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WPL
t
OEH
t
OES
t
DV
t
DB
t
WC
10
100
120
10
150
10
10
1000
50
3
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
1.5毫秒的典型
（注2 ）
（注1 ）
注1 ：在写周期可以启动具有CE或WE变低，最后的为准。该数据被锁存的
CE或WE的上升沿，以先到为准科幻RST 。
2:
数据必须在最大1000ns最大有效。之后开始写周期，并且必须是稳定的，至少直到吨
DH
WE或CE的上升沿后，以先到为准科幻RST 。
图1-2：
编程波形
地址
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
AS
t
DV
t
AH
t
WPL
t
DS
t
DH
CE， WE
DATA IN
V
IH
V
IL
t
OES
V
IH
OE
V
IL
t
OEH
V
OH
RDY / BUSY
忙
V
OL
TWC
t
DB
准备
DS21113E第4页
初步
2004年Microchip的科技公司
28LV64A
64K （ 8K ×8 ）低电压CMOS EEPROM
特点
2.7V至3.6V电源
读取时间-300纳秒
CMOS技术的低功耗
- 8毫安活动
- 50
一种CMOS待机电流
字节写入时间为3 ms
数据保留>200年
高耐用性 - 最少10万次擦除/写
周期
自动写操作
- 内部控制定时器
- 自动清除写入操作之前
- 片内地址和数据锁存器
- 数据查询
就绪/忙
芯片清零操作
增强的数据保护
- V
CC
探测器
- 脉冲滤波器
- 写保护
电子签名的设备Identi网络阳离子
组织8Kx8 JEDEC标准引脚
- 28脚双列直插式封装
- 32引脚芯片载体（无引线或塑料）
- 28引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ）
8x20mm
- 28引脚超小外形封装（ VSOP ）
8x13.4mm
可扩展工作温度范围：
- 商业： 0 ° C至+ 70°C
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
封装类型
RDY / BSY
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A6
5
A9
A5
6
A11 A4
7
A3
8
OE
A10 A2
9
A1
10
CE
A0
11
I/O7
NC
12
I/O6
I/O0
13
I/O5
I/O4
I/O3
2
RDY / BSY
1
NU
4
A7
3
A12
32
VCC
31
WE
18
19
30
NC
29
A8
28
A9
27
A11
26
NC
25
OE
24
A10
23
CE
22
I/O7
21
I/O6
14
15
16
17
引脚1指示灯PLCC封装的顶部
OE
A11
A9
A8
NC
WE
VCC
RDY / BSY
A12
A7
A6
A5
A4
A3
OE
A11
A9
A8
NC
WE
V
CC
RDY / BSY
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
描述
Microchip Technology Inc.的28LV64A是CMOS 64K非VOL-
atile电可擦除PROM由8位， 8K字。
该28LV64A是像一个静态RAM的读或写访问的
循环而没有外部元件的需要。在一个“字节
写“时，地址和数据被内部地锁存，从而释放
微处理器的地址和数据总线，用于其它操作。跟着
哞哞叫写周期的开始，该设备将进入繁忙状态
而自动清除，并用一个跨写入数据锁存
最终控制定时器。要确定写周期完成，
用户有监视就绪/忙输出的选择或
使用数据轮询。的Ready / Busy引脚是开漏输出，
它可以方便地CON组fi guration在“线或”系统。 Alterna-
疑心，数据轮询允许读取该位置的用户最后写入
当写操作完成。 CMOS的设计和亲
cessing允许在系统中使用该部分，其中减少
电力消耗和可靠性是必需的。一个完整的家庭
包是提供给提供应用的最大灵活性
系统蒸发散。
框图
I/O0...................I/O7
VSS
VCC
CE
OE
WE
RDY /
忙
A0
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
A12
数据保护
电路
CHIP ENABLE /
OUTPUT ENABLE
控制逻辑
自动擦除/写
定时
编程电压
GENERATION
Y
解码器
数据
调查
输入/输出
缓冲器
L
a
t
c
h
e
s
X
解码器
1996年Microchip的科技公司
初步
本文档与FrameMaker的4 0 4创建
I/O1
I/O2
VSS
NU
I/O3
I/O4
I/O5
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
门控
64K位
细胞矩阵
DS21113B第1页
20
DIP / SOIC
PLCC / LCC
A10
CE
I/07
I/06
I/05
I/04
I/03
VSS
I/02
I/01
I/00
A0
A1
A2
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
TSOP
VSOP
28LV64A
1.0
电动
特征
表1-1：
名字
A0 - A12
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
RDY / BUSY
V
CC
V
SS
NC
NU
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
就绪/忙
+电源
地
无连接;无内部连接
未使用;无需外部连接是
允许
PIN机能的表
功能
地址输入
最大额定值*
VCC输入电压w.r.t. V
SS
...... -0.6V至+ 6.25V
在OE w.r.t.电压V
SS
...................... -0.6V至+ 13.5V
在A9 w.r.t.电压V
SS
....................... -0.6V至+ 13.5V
输出电压w.r.t. V
SS
............... -0.6V到VCC + 0.6V
储存温度.......................... -65C至+ 150C
环境温度。电源采用.....- 55
°
C至+ 125
°
C
*注：超出上述“绝对最大值” ，可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该装置的这些或任何其他条件和功能操作
以上这些在本规范的操作列表显示为
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
表1-2：
读/写操作直流特性
V
CC
= 2.7 3.6V
商业（ C） ：环境温度Tamb =
0
°
C至70
°
C
产业
（Ⅰ） ：环境温度Tamb = -40
°
C至85
°
C
参数
输入电压
输入漏
输入电容
输出电压
状态
逻辑“1”的
逻辑“ 2 ”
—
—
逻辑“1”的
逻辑“0”的
—
—
TTL输入
符号
V
IH
V
IL
I
LI
C
IN
V
OH
V
OL
I
LO
C
OUT
I
CC
民
2.0
—
—
2.0
最大
0.6
5
6
单位
V
V
A
pF
V
V
A
pF
mA
条件
0.3
—
—
—
5
12
8
输出漏
输出电容
电源电流，活动
电源电流，待机
TTL输入
I
CC
(
S
)
TTL
TTL输入
I
CC
(
S
)
TTL
CMOS输入I
CC
(
S
)
CMOS
—
2
3
100
mA
mA
A
V
IN
= 0V至V
CC
+1
VIN = 0V ; TAMB = 25
°
C;
F = 1兆赫（注1）
I
OH
= -100
A
I
OL
= 1.0毫安
I0
L
= 2.0毫安RDY /忙
V
OUT
= 0V至V
CC
+0.1V
V
OUT
= 0V ; TAMB = 25
°
C;
F = 1兆赫（注1）
F = 5兆赫（注2）
I
O
= OMA
V
CC
= 3.3
CE = V
IL
CE = V
IH
(0
°
C至70
°
C
°
)
CE = V
IH
(-40
°
C至85
°
C
°
)
CE = V
CC
-3.0到V
CC
+1
注1 ：未经过100％测试。
2 ：交流电源电流5MHz以上：2毫安/兆赫。
DS21113B第2页
初步
1996年Microchip的科技公司
28LV64A
表1-3：
读操作交流特性
AC测试波形：
输出负载：
输入上升和下降时间：
环境温度：
V
IH
= 2.0V; V
IL
= 0.6V; V
OH
= V
OL
= V
CC
/2
1 TTL负载+ 100 pF的
20纳秒
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0
°
C至+70
°
C
产业
（Ⅰ） ：环境温度Tamb = -40
°
C至+ 85
°
C
最大
单位
条件
OE = CE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
（注1 ）
（注1 ）
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE高到输出浮动
从地址，CE输出保持或
OE ，以先到为准。
符号
28LV64-30
民
t
加
t
CE
t
OE
t
关闭
t
OH
—
—
—
—
0
0
10M
300
300
150
60
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
周期
耐力
25
°
C， VCC = 5.0V ，
块模式（注2 ）
注1 ：未经过100％测试。
2：该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的估计耐用
应用程序，请参阅可以在我们的论坛或网站获得的总耐力模式。
图1-1：
读操作波形
V
IH
地址
V
IL
V
IH
CE
V
IL
t
CE(2)
地址有效
V
IH
OE
V
IL
V
OH
数据
V
OL
t
加
V
IH
WE
V
IL
注：（1 ）T
关闭
被指定为OE或CE ，以先到为准
（ 2 ） OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
（3 ）该参数进行采样，不是100 ％的测试
t
OFF(1,3)
t
OE(2)
高Z
t
OH
有效的输出
高Z
1996年Microchip的科技公司
初步
DS21113B第3页
28LV64A
表1-4：
字节写AC特性
AC测试波形：
输出负载：
输入上升/下降时间：
环境温度：
参数
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
OE保持时间
OE建立时间
数据有效时间
时间到设备忙
写周期时间（ 28LV64A ）
V
IH
= 2.0V; V
IL
= 0.6V; V
OH
= V
OL
= V
CC
/2
1 TTL负载+ 100 pF的
20纳秒
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
产业
（ I） ：环境温度Tamb = -40 ° C至+ 85°C
最大
单位
备注
符号
民
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WPL
t
OEH
t
OES
t
DV
t
DB
t
WC
10
100
120
10
150
10
10
1000
50
3
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
1.5毫秒的典型
（注2 ）
（注1 ）
注1 ：在写周期可以启动具有CE或WE变低，最后的为准。该数据被锁存的
CE或WE的上升沿，以先到为准科幻RST 。
2:
数据必须在最大1000ns最大有效。之后开始写周期，并且必须是稳定的，至少直到吨
DH
WE或CE的上升沿后，以先到为准科幻RST 。
图1-2：
编程波形
地址
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
AS
t
DV
t
AH
t
WPL
t
DS
t
DH
CE， WE
DATA IN
V
IH
V
IL
t
OES
OE
V
IH
V
IL
t
OEH
V
OH
RDY / BUSY
忙
V
OL
TWC
t
DB
准备
DS21113B第4页
初步
1996年Microchip的科技公司
