28C010T
1兆位（ 128K ×8位） EEPROM
V
CC
V
SS
水库
OE
CE
WE
水库
A0
A6
地址
缓冲区和
LATCH
A7
A16
数据锁存器
Y译码
门控
I / O缓冲器和
输入锁存
控制逻辑时序
高压
发电机
I/O0
I/O7
RDY / BUSY
X解码器
存储阵列
内存
逻辑图
F
EATURES
:
128K ×8位EEPROM
R
AD
-P
AK
抗辐射对自然空间辐射
化
总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，根据航天任务
卓越的单粒子效应
- SEL
TH
> 120兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU > 90兆电子伏/毫克/平方厘米
2
读取模式
- SEU = 18兆电子伏/毫克/平方厘米
2
写模式
??包装：
- 32引脚
AD
-P
AK
扁平封装/ DIP封装
- JEDEC批准的字节宽的引出线
高速：
- 120 ，150，和200纳秒可用的最大访问时间
高耐力：
- 10,000擦除/写入（在页面模式） ，
- 10年的数据保留
页写模式：
- 1到128个字节
低功耗
- 为20 mW / MHz有源（典型值）
- 110 μ W待机（最大值）
标准JEDEC封装宽度
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 28C010T高密度的1兆位
（ 128K ×8位） EEPROM微电路有大于
100拉德（ Si）的总剂量耐受性，这取决于空间的错
锡永。该28C010T是能够在系统电字节和
页面可编程性。它有一个128字节的页编程
功能使其擦除和写入操作速度更快。这也
功能数据查询和就绪/忙信号指示
擦除和编程操作完成。在
28C010T ，硬件数据保护设置有在RES
销，除了噪声保护上WE信号和写
抑制上电和关断。软件数据保护imple-
mented采用JEDEC标准的可选算法。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选来上课S.
03年6月3日REV 14
所有数据表如有变更，恕不另行通知
1
（ 858 ） 503-3300-传真： （ 858 ） 503-3301 - www.maxwell.com
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版权所有。
1兆位（ 128K ×8位） EEPROM
T
ABLE
1. 28C010T P
INOUT
D
ESCRIPTION
P
IN
12-5, 27, 26, 23, 25, 4, 28, 3, 31, 2
13, 14, 15, 17, 18, 19, 20, 21
24
22
29
32
16
1
30
S
YMBOL
A0-A16
I / O0 - I / O7
OE
CE
WE
V
CC
V
SS
RDY / BUSY
水库
D
ESCRIPTION
地址
数据I / O
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
地
就绪/忙
RESET
28C010T
T
ABLE
2. 28C010T一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
电源电压（相对于V
SS
)
输入电压（相对于V
SS
)
包装重量
S
YMBOL
V
CC
V
IN
RP
RT
RD
热阻抗（ RP和RT包）
热阻抗（ DIP封装）
工作温度范围
存储温度范围
1. V
IN
分= -3.0V脉冲宽度<为50ns 。
F
JC
F
JC
T
OPR
T
英镑
-55
-65
M
IN
-0.6
-0.5
1
7.4
2.7
10.9
2.4
2.17
+125
+150
°
C / W
°
C / W
°
C
°
C
内存
T
YP
M
AX
+7.0
+7.0
U
尼特
V
V
克
T
ABLE
3. D
ELTA
L
IMITS1
P
ARAMETER
I
CC1
I
CC2
I
CC3A
V
ARIATION2
±10%
±10%
±10%
±10%
I
CC3B
1.参数被测量并记录为每德尔塔
MIL -STD- 883的S级设备
2.指定表6
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2
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1兆位（ 128K ×8位） EEPROM
28C010T
T
ABLE
7. 28C010T AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
R
EAD
O
PERATION 1
(V
CC
= 5V， + 10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125
°
C)
P
ARAMETER
地址访问时间
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
芯片使能存取时间
OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
输出启用访问时间
CE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
输出保持到地址变更
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
输出禁止到高阻
2
CE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
RES到输出延迟
3
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
-200
S
YMBOL
t
加
S
UBGROUPS
9, 10, 11
--
--
--
t
CE
9, 10, 11
--
--
--
t
OE
9, 10, 11
0
0
0
t
OH
9, 10, 11
0
0
0
9, 10, 11
t
DF
0
0
0
t
DFR
0
0
0
9, 10, 11
--
--
--
400
450
650
50
50
60
300
350
450
ns
--
--
--
ns
75
75
100
ns
120
150
200
ns
120
150
200
ns
M
IN
M
AX
U
尼特
ns
内存
t
RR
1.测试条件：输入脉冲电平 - 0.4V至2.4V ;输入上升和下降时间为20ns < ;输出负载 - 1 TTL门+ 100pF电容（包括
范围和夹具） ;参考电平测量时序 - 0.8V / 1.8V 。
2. t
DF
和T
DFR
被定义为在其输出成为一个开放电路和数据将不再被驱动的时间。
3.通过设计保证。
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