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废弃的设备
27C64
64K ( 8K ×8 ) CMOS EPROM
特点
高速性能
- 120 ns访问时间可
CMOS技术的低功耗
- 20毫安有功电流
- 100
A
待机电流
工厂编程可用
自动插入兼容的塑料封装
自动识别辅助自动化编程
独立的芯片使能和输出使能控制
高速“快车”规划算法
组织8K ×8 : JEDEC标准引脚
- 28脚双列直插式封装
- 32引脚PLCC封装
- 28引脚SOIC封装
- 磁带和卷轴
适用于以下温度范围
- 商业:
0 ° C至+ 70°C
- 工业:
-40 ° C至+ 85°C
封装类型
DIP / SOIC
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
PGM
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
27C64
PLCC
A7
A12
V
PP
NU
VCC
PGM
NC
32
31
描述
Microchip的27C64是CMOS 64K
位(电)可编程只读存储器。
该设备被组织成8K字由8位( 8K
个字节)。从地址访问单个字节
过渡或电(芯片使能引脚变为低电平)
完成在小于120纳秒。 CMOS的设计和
处理使此部分在系统中使用
其中,降低了功耗和高可靠性
有要求。
包的一个完整的家庭提供提供
最灵活性的应用。对于表面安装应用程序
阳离子, PLCC和SOIC封装提供。胶带
和卷轴包装也可用于PLCC和SOIC
包。
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
O0
30
4
3
2
1
5
6
29
28
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
O7
O6
17
18
19
2004年Microchip的科技公司
O1
O2
V
SS
NU
O3
O4
O5
20
27C64
DS11107M第1页
27C64
1.0
1.1
电气特性
最大额定值*
表1-1:
名字
A0-A12
CE
OE
PGM
V
PP
O0 - O7
V
CC
V
SS
NC
NU
引脚功能表
功能
地址输入
芯片使能
OUTPUT ENABLE
项目启用
编程电压
数据输出
+ 5V电源
无连接;无内部连接
系统蒸发散
未使用;无需外部连接是
允许
V
CC
与输入电压w.r.t. V
SS
....... -0.6V至+ 7.25V
V
PP
电压w.r.t. V
SS
编程.......................................... -0.6V至+ 14V
在A9 w.r.t.电压V
SS
...................... -0.6V至+ 13.5V
输出电压w.r.t. V
SS
................- 0.6V至V
CC
+1.0V
储存温度..........................- 65°C至+ 150°C
环境温度。电源采用.....- 65 ° C至+ 125°C
*注:超出上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件的操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间可能会影响器件的可靠性。
表1-2:
读操作DC特性
V
CC
= +5V (±10%)
商业:环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
工业:
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
参数
输入电压
输入漏
输出电压
输出漏
输入电容
输出电容
电源电流,
活跃
部分*
所有
所有
所有
所有
所有
所有
C
I
状态
逻辑"1"
逻辑"0"
逻辑"1"
逻辑"0"
TTL输入
TTL输入
符号
V
IH
V
IL
I
LI
V
OH
V
OL
I
LO
C
IN
C
OUT
I
CC1
I
CC2
2.0
-0.5
-10
2.4
最大
V
CC
+1
0.8
10
0.45
单位
V
V
A
V
V
A
pF
pF
mA
mA
条件
V
IN
= 0至V
CC
I
OH
= -400
A
I
OL
= 2.1毫安
V
OUT
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V ;环境温度Tamb = 25°C ;
F = 1 MHz的
V
OUT
= 0V ;环境温度Tamb = 25°C ;
F = 1 MHz的
V
CC
= 5.5V; V
PP
= V
CC
;
F = 1兆赫; OE = CE = V
IL
;
I
OUT
= 0 mA时; V
IL
= -0.1 0.8V ;
V
IH
= 2.0 V
CC
;注1
-10
10
6
12
20
25
电源电流,
待机
I
PP
读电流
V
PP
读取电压
C
I
所有
所有
所有
TTL输入
TTL输入
CMOS输入
读取模式
读取模式
I
CC
(
S
)
I
PP
V
PP
V
CC
-0.7
2
3
100
100
V
CC
mA
mA
A
A
V
CE = V
CC
±
0.2V
V
PP
= 5.5V
*配件: C =商业级温度范围; I =工业级温度范围。
注1:每MHz典型有源电流增大0.5毫安到工作频率为所有的温度范围内。
DS11107M第2页
2004年Microchip的科技公司
27C64
表1-3:
读操作交流特性
AC测试波形:
输出负载:
输入上升和下降时间:
环境温度:
27C64-12
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE ,以O / P高
阻抗
从输出保持
地址CE或OE ,
以先到为准科幻RST
符号
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
t
CE
t
OE
t
关闭
t
OH
0
0
120
120
65
50
0
0
150
150
70
50
0
0
170
170
70
50
0
0
200
200
75
55
0
0
250
250
100
60
ns
ns
ns
ns
ns
CE = OE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
V
IH
= 2.4V和V
IL
= 0.45V; V
OH
= 2.0V V
OL
= 0.8V
1 TTL负载+ 100 pF的
10纳秒
商业:
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
工业:
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
27C64-17
27C64-20
27C64-25
单位
条件
27C64-15
图1-1:
读操作波形
注1 : TOFF是特定网络版的OE或CE ,以先到为准科幻RST 。
2 : OE可能会延迟到三氯乙烯 - TOE CE ,而不对TCE的影响下降沿后。
3 :该参数进行采样,而不是100%测试。
2004年Microchip的科技公司
DS11107M第3页
27C64
表1-4:
编程直流特性
环境温度:环境温度Tamb = 25°C
±
5°C
V
CC
= 6.5V
±
0.25V, V
PP
= V
H
= 13.0V
±
0.25V
参数
输入电压
输入漏
输出电压
V
CC
目前,节目&验证
V
PP
目前,项目
A9产品Identi网络阳离子
状态
Logic”1”
Logic”0”
Logic”1”
Logic”0”
符号
V
IH
V
IL
I
LI
V
OH
V
OL
I
CC2
I
PP2
V
H
2.0
-0.1
-10
2.4
11.5
马克斯。
V
CC
+1
0.8
10
0.45
20
25
12.5
单位
V
V
A
V
V
mA
mA
V
V
IN
= 0V至V
CC
I
OH
= -400
A
I
OL
= 2.1毫安
注1
注1
条件
注1 : V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
.
表1-5 :
编程交流特性
AC测试波形: V
IH
= 2.4V和V
IL
=0.45V; V
OH
=2.0V; V
OL
=0.8V
环境温度:环境温度Tamb = 25°C
±5°C
V
CC
= 6.5V
±
0.25V, V
PP
= V
H
= 13.0V
±
0.25V
符号
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
DF
t
VCS
t
PW
t
CES
t
OES
t
VPS
t
OE
2
2
2
0
0
2
95
2
2
2
最大
130
105
100
单位
s
s
s
s
ns
s
s
s
s
s
ns
100
s
典型
备注
对于方案,方案验证
和编程禁止模式
参数
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
浮动延迟( 2 )
V
CC
建立时间
节目脉冲宽度( 1 )
CE建立时间
OE建立时间
V
PP
建立时间
数据有效的OE
注1 :对于快递的算法,最初的规划宽度公差为100
s ±5%.
2 :该参数只采样,而不是100 %测试。输出FL燕麦是德网络定义为点数据不
不再被驱动(见时序图) 。
DS11107M第4页
2004年Microchip的科技公司
27C64
图1-2:
编程波形( 1 )
表1-6 :
操作模式
节目
程序校验
禁止程序
待机
输出禁用
身分
X =无关
模式
CE
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
OE
V
IL
V
IH
V
IL
X
X
V
IH
V
IL
PGM
V
IH
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
V
IH
V
PP
V
CC
V
H
V
H
V
H
V
CC
V
CC
V
CC
A9
X
X
X
X
X
X
V
H
O0 - O7
D
OUT
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
识别码
1.2
读取模式
(见时序图和AC特性)
读模式访问时
a)
b)
CE引脚为低电平时打开(启用)芯片
OE引脚为低电平到栅中的数据在输出
引脚
对于读操作,如果地址是稳定,
地址访问时间(t
)等于从延迟
CE输出(T
CE
) 。数据被传递到输出
从操作环境的下降沿的延迟(吨后
OE
).
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MIC
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