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27C512A
512K ( 64K ×8 ) CMOS EPROM
特点
高速性能
CMOS技术的低功耗
- 25毫安有功电流
- 30
待机电流
工厂编程可用
自动插入兼容的塑料封装
自动识别辅助自动化编程
高速特快规划算法
有组织的64K ×8 : JEDEC标准引脚
- 28脚双列直插式封装
- 32引脚PLCC封装
- 28引脚SOIC封装
- 28引脚TSOP封装
- 28引脚封装VSOP
- 磁带和卷轴
数据保留和GT ; 200年
适用于以下温度范围
- 商业:
0 ° C至+ 70°C
- 工业:
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车:
-40°C至+ 125°C
封装类型
TSOP
OE / V
PP
A11
A9
A8
A13
A14
V
CC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
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21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
D7
D6
D5
D4
D3
V
SS
D2
D1
D0
A0
A1
A2
27C512A
4
3
2
1
32
31
30
A7
A12
A15
NU
VCC
A14
A13
PLCC
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
O0
5
6
29
28
8
9
10
11
12
13
14
15
27C512A
7
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A11
NC
OE / V
PP
A10
CE
O7
O6
16
17
18
19
DIP / SOIC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
V
SS
O1
O2
V
SS
NU
O3
O4
O5
描述
Microchip Technology Inc.的27C512A是CMOS
512K位电可编程只读存储器
(EPROM) 。该设备是由组织成64K字
8位( 64K字节)。访问从单个字节
地址转换或电(芯片使能引脚
要低)来完成在小于90纳秒。这
超高速器件允许的最先进的
微处理器全速,而无需运行
为等待状态。 CMOS的设计和加工使
在系统中使用该部分,其中降低的功率
耗和高可靠性的要求。
包的一个完整的家庭提供提供
最灵活性的应用。对于表面安装应用程序
阳离子, PLCC , VSOP , TSOP和SOIC包装
可用。带或卷轴包装也可用于
PLCC和SOIC封装。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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20
19
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16
15
20
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE / V
PP
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
VSOP
OE / V
PP
A11
A9
A8
A13
A14
V
CC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
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1
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14
13
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11
10
9
8
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
V
SS
O2
O1
O0
A0
A1
A2
27C512A
1996年Microchip的科技公司
27C512A
DS11173E第1页
本文档与FrameMaker的4 0 4创建
27C512A
1.0
1.1
电气特性
最大额定值*
表1-1:
名字
A0-A15
CE
OE / V
PP
O0 - O7
V
CC
V
SS
NC
NU
引脚功能表
功能
地址输入
芯片使能
输出使能/编程电压
数据输出
+ 5V电源
无连接;无内部连接
未使用;无需外部连接是
允许
V
CC
与输入电压w.r.t. V
SS
........ -0.6V至+ 7.25V
V
PP
电压w.r.t. V
SS
编程......................................... -0.6V至+ 14V
在A9 w.r.t.电压V
SS
...................... -0.6V至+ 13.5V
输出电压w.r.t. V
SS
............... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度.......................... -65C至+ 150C
环境温度。施加电源..... -65C至+ 125C
*注:超出上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件的操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间可能会影响器件的可靠性。
表1-2:
读操作DC特性
V
CC
= +5V
±
10%
商业:
工业:
扩展的(汽车) :
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
环境温度Tamb = -40 ° C至+ 125°C
单位
V
V
A
V
V
A
pF
pF
mA
mA
V
IN
= 0至V
CC
I
OH
= - 400
A
I
OL
= 2.1毫安
V
OUT
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V ; TAMB = 25
°
C;
F = 1 MHz的
V
OUT
= 0V ; TAMB = 25
°
C;
F = 1 MHz的
V
CC
= 5.5V
F = 1兆赫;
OE / V
PP
= CE = V
IL
;
I
OUT
= 0 mA时;
V
IL
= -0.1 0.8V ;
V
IH
= 2.0 V
CC
;
注1
条件
参数
输入电压
输入漏
输出电压
输出漏
输入电容
输出电容
电源电流,
活跃
部分*
所有
所有
所有
所有
所有
所有
C
I,E
状态
逻辑"1"
逻辑"0"
符号
V
IH
V
IL
I
LI
2.0
-0.5
-10
2.4
最大
V
CC
+1
0.8
10
0.45
逻辑"1"
逻辑"0"
TTL输入
TTL输入
V
OH
V
OL
I
LO
C
IN
C
OUT
I
CC
I
CC
-10
10
6
12
25
35
电源电流,
待机
C
I,E
所有
I
CC
(
S
)
TLL
TTL输入
TTL输入
I
CC
(
S
)
TLL
CMOS输入I
CC
(
S
)
CMOS
1
2
30
mA
mA
A
CE = VCC
±
0.2V
*配件: C =商业级温度范围; I, E =工业级和扩展级温度范围
注1 :典型有源电流增加每MHz 0.75毫安到工作频率为所有的温度范围内。
DS11173E第2页
1996年Microchip的科技公司
27C512A
表1-3:
读操作交流特性
AC测试波形:
输出负载:
输入上升和下降时间:
环境温度:
V
IH
= 2.4V和V
IL
= .45V;
1 TTL负载+ 100 pF的
10纳秒
商业:
工业:
扩展的(汽车) :
27C512-12
0
0
最大
120
120
50
40
V
OH
= 2.0V和V
OL
= 0.8V
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
环境温度Tamb = -40 ° C至+ 125°C
27C512-15
单位条件
0
0
最大
150
150
60
45
ns
ns
ns
ns
ns
CE = OE /
V
PP
= V
IL
OE / V
PP
=
V
IL
CE = V
IL
27C512-90*
参数
地址输出
延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
OE为输出高
阻抗
从输出保持
地址, CE或OE /
V
PP
为准
发生网络RST
符号
t
t
CE
t
OE
t
关闭
t
OH
0
0
最大
90
90
40
35
27C512-10*
0
0
最大
100
100
40
35
* 10分之90 AC测试波形: V
IH
= 3.0V和V
IL
= 0V; V
OH
= 1.5V和V
OL
= 1.5V
输出负载: 1 TTL负载+ 30 pF的
图1-1:
V
IH
地址
V
IL
V
IH
CE
V
IL
读操作波形
地址有效
t
CE(2)
V
IH
OE
V
IL
V
OH
V
OL
t
t
OE(2)
高Z
t
OFF(1,3)
t
OH
有效的输出
高Z
输出
O0 - O7
注:(1 )T
关闭
被指定为OE或CE ,以先到为准
( 2 ) OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
(3 )该参数进行采样,不是100%的测试。
1996年Microchip的科技公司
DS11173E第3页
27C512A
表1-4:
编程直流特性
环境温度:环境温度Tamb = 25
°
C
±
5
°
C
V
CC
= 6.5V
±
0.25V , OE / V
PP
= V
H
= 13.0V
±
0.25V
参数
输入电压
输入漏
输出电压
V
CC
目前,节目&验证
OE / V
PP
目前,项目
A9产品Identi网络阳离子
状态
逻辑“1”的
逻辑“0”的
逻辑“1”的
逻辑“0”的
符号
V
IH
V
IL
I
LI
V
OH
V
OL
I
CC2
I
PP2
V
ID
分钟。
2.0
-0.1
-10
2.4
11.5
马克斯。
V
CC
+1
0.8
10
0.45
35
25
12.5
单位
V
V
A
V
V
mA
mA
V
V
IN
= 0V至V
CC
I
OH
= -400
A
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IL
条件(见注1 )
注1 : V
CC
必须同时或V前申请
PP
在OE / V的电压
PP
并同时或之后除去
在V
PP
在OE / V的电压
PP
.
表1-5 :
编程交流特性
AC测试波形: V
IH
= 2.4V和V
IL
=0.45V; V
OH
=2.0V; V
OL
=0.8V
环境温度: 25℃
±5°C
V
CC
= 6.5V
±
0.25V , OE / V
PP
= V
H
= 13.0V
±
0.25 V
符号
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
DF
t
VCS
t
PW
t
CES
t
OES
t
OEH
t
OR
t
PRT
分钟。
2
2
2
0
0
2
95
2
2
2
2
50
马克斯。
130
105
单位
s
s
s
s
ns
s
s
s
s
s
s
ns
100
s
典型
备注
对于方案,方案验证
和编程禁止模式
参数
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
浮动延迟( 2 )
V
CC
建立时间
节目脉冲宽度( 1 )
CE建立时间
OE建立时间
OE保持时间
OE恢复时间
OE / V
PP
上升时间在编程
注1 :对于快递的算法,最初的规划宽度公差为100
s ±5%.
2 :该参数只采样,而不是100 % teted 。输出FL燕麦是德网络定义为点数据不
不再被驱动(见时序图) 。
DS11173E第4页
1996年Microchip的科技公司
27C512A
图1-2:
编程波形( 1 )
节目
V
IH
解决稳定
地址v
IL
V
IH
数据V
IL
t
AS
数据稳定
t
AH
数据输出有效
t
DF
(2)
t
CE
t
VCS
t
CES
t
PW
VERIFY
6.5 V (3)
V
CC
5.0V
V
IH
CE V
IL
t
DS
t
DH
(2)
t
OES
t
OEH
t
OR
13.0 V (3)
OE / V
PP
V
IL
t
PRT
注意事项:
(1)输入定时基准电平是0.8V为V
IL
和2.0V的V
IH
.
(2) t
DF
和T
OE
是该装置的特点,但必须由编程来适应。
(3) V
CC
= 6.5V
±0.25V,
V
PP
= V
H
= 13.0V
±0.5V
快递规划算法。
t
OPW
表1-6 :
模式
CE
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
OE / V
PP
V
IL
V
H
V
IL
V
H
X
V
IH
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
V
H
O0 - O7
D
OUT
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
识别码
操作模式
节目
程序校验
禁止程序
待机
输出禁用
身分
X =无关
1.2
读取模式
(见时序图和AC特性)
读模式访问时
a)
b)
CE引脚为低电平时打开(启用)芯片
在OE / V
PP
引脚为低电平时,以栅极上的数据到
输出引脚
对于读操作,如果地址是稳定,
地址访问时间(t
)等于从延迟
CE输出(T
CE
) 。数据被传递到输出
经过延时(T
OE
)从OE / V的下降沿
PP
.
1996年Microchip的科技公司
DS11173E第5页
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    27C512A-12VS
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

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