24C01C
1K 5.0V我
2
C
串行EEPROM
产品特点：
单电源供电，工作在4.5V至5.5V
低功耗CMOS技术：
- 读取电流为1 mA ，最大
- 待机电流5
μA,
马克斯。
2线串行接口，我
2
C兼容
可级联多达八个装置
施密特触发器输入以抑制噪声
输出斜率控制以消除接地反弹
100 kHz和400 kHz时钟的兼容性
页写时间1毫秒最大。
自定时擦/写周期
16字节页写缓冲
- ESD保护>4000V
超过百万的擦除/写周期
数据保留>200年
工厂编程可用
套餐包括8引脚PDIP ， SOIC ， TSSOP ，
DFN ， TDFN和MSOP
无铅并符合RoHS标准
温度范围：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车（ E） ：
-40°C至+ 125°C
描述：
Microchip Technology Inc.的24C01C是1K位
串行电可擦除的PROM的电压范围
的4.5V至5.5V 。该设备被组织成一个单一的
128 ×8位的存储器，并具有2线串行块
界面。低电流设计，允许与操作
最大。待机和只有5工作电流
μA
1
毫安，分别。该装置具有一个页面的写capabil-
性高达16字节的数据，并且具有快速的写入周期
仅1两个字节页写毫秒时间。功能
tional地址线允许多达8个的连接
在同一总线上最多8K位24C01C设备
连续的EEPROM存储器。该器件可
在标准的8引脚PDIP ， 8引脚SOIC （ 3.90毫米）
8引脚2×3 DFN和TDFN封装， 8引脚MSOP和TSSOP
包。
框图
A0 A1 A2
高压发生器
内存
控制
逻辑
I / O
控制
逻辑
XDEC
EEPROM
ARRAY
SDA ，SCL
V
CC
V
SS
感测放大器。
R / W控制
YDEC
封装类型
PDIP ， MSOP
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
TEST
SCL
SDA
A0
A1
A2
V
SS
SOIC ， TSSOP
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
TEST
SCL
SDA
DFN / TDFN
A0 1
A1 2
A2 3
V
SS
4
8 V
CC
7测试
6 SCL
5 SDA
2008 Microchip的技术公司
DS21201J第1页
24C01C
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C
环境温度与功耗应用................................................................................................-40°C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护
......................................................................................................................................................≥
4千伏
注：上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
电气特性：
工业级（I ） ：
V
CC
= + 4.5V至5.5V
汽车（ E） ： V
CC
= + 4.5V至5.5V
分钟。
—
0.7 V
CC
—
0.05 V
CC
马克斯。
—
—
0.3 V
CC
—
单位
—
V
V
V
—
—
—
（注）
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
条件
DC特性
参数。
号
D1
D2
D3
D4
符号。
—
V
IH
V
IL
V
HYS
特征
A0， A1，A2， SCL，SDA
和WP引脚：
高电平输入电压
低电平输入电压
施密特迟滞
触发输入
（ SDA ， SCL引脚）
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
D5
D6
D7
D8
D9
D10
注意：
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
,
C
OUT
I
CC
写
I
CCS
—
—
—
—
—
—
—
0.40
±1
±1
10
1
3
5
V
μA
μA
pF
mA
mA
μA
I
OL
= 3.0毫安V
CC
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
CC
， WP = V
SS
V
OUT
= V
SS
或V
CC
V
CC
= 5.0V
（注）
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= 5.5V ， SCL = 400千赫
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V ， SDA ，SCL = = V
CC
WP = V
SS
I
CC
阅读工作电流
待机电流
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
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2008 Microchip的技术公司
24C01C
表1-2：
AC特性
电气特性：
工业级（I ） ：
V
CC
= + 4.5V至5.5V
汽车（ E） ： V
CC
= + 4.5V至5.5V
特征
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
SDA和SCL上升时间
（注1 ）
SDA和SCL下降时间
（注1 ）
分钟。
—
—
4000
600
4700
1300
—
—
—
4000
600
4700
600
0
250
100
4000
600
—
—
4700
1300
10 + 0.1CB
马克斯。
100
400
—
—
—
—
1000
300
300
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3500
900
—
—
250
单位
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
—
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
（注2 ）
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
—
（工业级温度）
（注1 ）
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
条件
AC特性
参数。
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
符号。
F
CLK
T
高
T
低
T
R
T
F
T
HD
:
STA
START条件保持时间
T
SU
:
STA
启动条件建立时间
T
HD
:
DAT
数据输入保持时间
T
SU
:
DAT
数据输入建立时间
T
SU
:
申通快递
停止条件的建立时间
T
AA
T
BUF
时钟输出有效
（注2 ）
总线空闲时间：时间的公交车
必须在一个新的自由
传输开始
输出下降时间从V
IH
最低至V
IL
最大
C
B
≤
100 pF的
输入滤波器尖峰抑制
（ SDA和SCL引脚）
写周期时间（或字节
页）
耐力
13
T
OF
ns
14
15
16
注1 ：
2:
3:
4:
T
SP
T
WC
—
—
—
1,000,000
50
1.5
1
—
ns
ms
（注3）
—
（工业级温度）
循环25℃
（注4 ）
未经100％测试。
B
=在pF的总线上的总电容。
作为发送器，器件必须提供内部最小延迟时间，以弥补理解过程把网络定义区域
（最低300纳秒） SCL的下降沿，以避免产生意外的启动或停止条件。
合并牛逼
SP
和V
HYS
规格是由于新的施密特触发器输入，提供
改善噪声尖峰脉冲抑制。这省去了为T
I
特定网络阳离子标准操作。
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用
应用程序，请查阅Total Endurance模型，可以从Microchip网站获得
从www.microchip.com 。
2008 Microchip的技术公司
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24C01C
1K 5.0V我
2
C
串行EEPROM
产品特点：
至5.5V单电源供电，工作在4.5
低功耗CMOS技术：
- 读取电流为1 mA ，典型
- 待机电流10
μA,
典型
2线串行接口，我
2
C兼容
可级联多达八个装置
施密特触发器输入以抑制噪声
输出斜率控制以消除接地反弹
100 kHz和400 kHz时钟的兼容性
快速的网页和字节写入时间1毫秒，典型的
自定时擦/写周期
16字节页写缓冲
ESD保护＆ GT ; 4,000V
超过百万的擦除/写周期
数据保留和GT ; 200年
工厂编程可用
套餐包括8引脚PDIP ， SOIC ， TSSOP ，
DFN和MSOP
无铅并符合RoHS标准
温度范围：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车（ E） ： -40°C至+ 125°C
封装类型
PDIP ， MSOP
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
TEST
SCL
A0
A1
A2
SOIC ， TSSOP
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
TEST
SCL
SDA
SDA V
SS
DFN
A0 1
A1 2
A2 3
V
SS
4
8 V
CC
7测试
6 SCL
5 SDA
框图
A0 A1 A2
高压发生器
内存
控制
逻辑
I / O
控制
逻辑
XDEC
EEPROM
ARRAY
SDA ，SCL
V
CC
V
SS
感测放大器。
R / W控制
YDEC
描述：
Microchip Technology Inc.的24C01C是1K位
串行电可擦除的PROM的电压范围
的4.5V至5.5V 。该设备被组织成一个单一的
128 ×8位的存储器，并具有2线串行块
界面。低电流设计，允许与操作
典型待机和10只工作电流
μA
1
毫安，分别。该装置具有一个页面的写capabil-
性高达16字节的数据，并且具有快速的写入周期
仅1两个字节页写毫秒时间。功能
tional地址线允许多达8个的连接
在同一总线上最多8K位24C01C设备
连续的EEPROM存储器。该器件可
在标准的8引脚PDIP ， 8引脚SOIC （ 3.90毫米） ， 8-
引脚2×3 DFN ， 8引脚MSOP和TSSOP封装。
引脚功能表
名字
V
SS
SDA
SCL
V
CC
A0, A1, A2
TEST
地
串行数据
串行时钟
+ 4.5V至5.5V电源
芯片选择
测试引脚：可以接高电平，低电平或
左浮动
功能
I
2
C是飞利浦公司的商标。
2007 Microchip的技术公司
DS21201G第1页
24C01C
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C
环境温度与功耗应用................................................................................................-40°C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护
......................................................................................................................................................≥
4千伏
注：上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的业务列表显示不暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
符号
V
IH
V
IL
V
HYS
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
, C
OUT
I
CC
读
I
CC
写
I
CCS
—
—
—
—
—
—
0.05 V
CC
分钟。
0.7 V
CC
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
马克斯。
—
.3 V
CC
—
.40
±1
±1
10
1
3
50
单位
V
V
V
V
μA
μA
pF
mA
mA
μA
（注）
I
OL
= 3.0毫安， V
CC
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
CC
， WP = VSS
V
OUT
= V
SS
或V
CC
V
CC
= 5.0V
（注）
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= 5.5V ， SCL = 400千赫
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V ， SDA ，SCL = = V
CC
WP = V
SS
条件
所有参数均适用于
规定的工作范围，除非
另有说明。
参数
SCL和SDA引脚：
高电平输入电压
低电平输入电压
施密特触发器的滞后
输入
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容（所有输入/输出）
工作电流
待机电流
注意：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21201G第2页
2007 Microchip的技术公司
24C01C
表1-2：
AC特性
VCC = 4.5V至5.5V
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
T
A
- = -40 ° C至+ 85°C
T
A
- = -40 ° C至+ 125°C
单位
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
备注
所有参数均适用于特定网络版
操作范围，除非另有说明。
参数
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
START条件保持时间
启动条件建立时间
数据输入保持时间
数据输入建立时间
停止条件的建立时间
时钟输出有效
总线空闲时间
符号
F
CLK
T
高
T
低
T
R
T
F
T
HD
:
STA
T
SU
:
STA
T
HD
:
DAT
T
SU
:
DAT
T
SU
:
申通快递
T
AA
T
BUF
TAMB
＆ GT ;
+85°C -40°C
≤
TAMB
≤
+85°C
分钟。
—
4000
4700
—
—
4000
4700
0
250
4000
—
4700
马克斯。
100
—
—
1000
300
—
—
—
—
—
3500
—
分钟。
—
600
1300
—
—
600
600
0
100
600
—
1300
马克斯。
400
—
—
300
300
—
—
—
—
—
900
—
（注1 ）
（注1 ）
在此之后的第一个科幻
产生时钟脉冲
仅与重复
启动条件
（注2 ）
T
OF
输出下降时间从V
IH
最低至V
IL
最大
输入滤波器尖峰抑制牛逼
SP
（ SDA和SCL引脚）
写周期时间
T
WR
耐力
注1 ：
2:
3:
4:
—
—
—
1M
250
50
1.5
—
20 +0.1 C
B
—
—
1M
250
50
1
—
ns
ns
（注2 ）
时间总线必须是自由的
新传输之前
可以启动
（注1 ） ，
C
B
≤
100 pF的
（注3）
MS字节或页模式
周期25 ° C，V
CC
= 5.0V ，座
模式
（注4 ）
未经100％测试。
B
=在pF的总线上的总电容。
作为发送器，器件必须提供内部最小延迟时间，以弥补理解过程把网络定义区域
（最低300纳秒） SCL的下降沿，以避免产生意外的启动或停止条件。
合并牛逼
SP
和V
HYS
规格有因施密特触发器输入，提供改进
噪声尖峰抑制。这省去了一个TI的特定网络连接的阳离子为标准操作。
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用
应用程序，请参阅可从Microchip网站获得的Total Endurance模型
从www.microchip.com 。
图1-1：
总线时序数据
T
F
T
高
T
R
SCL
T
SU
:
STA
T
低
T
HD
:
DAT
T
SU
:
DAT
T
SU
:
申通快递
SDA
IN
T
HD
:
STA
T
SP
T
BUF
T
AA
SDA
OUT
2007 Microchip的技术公司
DS21201G第3页
