陶瓷芯片电容

目录

电容的基本公式

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2

如何订购 -

AVX型号说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

3

C0G （ NP0 ）电介质

一般规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

4

典型特性曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

5

电容范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

6 - 7

X7R电介质

一般规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

8

典型特性曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

9

电容范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

10 - 11

Z5U介质

一般规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

12

典型特性曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

13

电容范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

14 - 15

Y5V介电

一般规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

16

典型特性曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

17

电容范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

18

薄型芯片的Z5U & Y5V介电

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19

高电压芯片为500V至5000V应用

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20 - 21

一般特定网络阳离子

环境。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

22 - 23

机械。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

24

MIL-PRF-55681/Chips

产品编号举例。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

25

军用型号鉴定（ CDR01通CDR06 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

26

军用型号鉴定（ CDR31通CDR35 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

27

军用型号鉴定（ CDR31 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

28

军用型号鉴定（ CDR32 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

29

军用型号鉴定（ CDR33 / 34 /35） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

30

欧版

CECC 32 101-801芯片。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

31

封装贴片元件

自动插入包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

32

压纹载体配置 - 8 & 12毫米带

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33

纸质载体配置 - 8 & 12毫米胶带

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

34

散装盒包装

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35

MLC芯片电容器概述

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36 - 40

表面安装指南

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41 - 43

1

电容的基本公式

一，电容（法拉）

英语： C = 0.224 K A

T

D

公制： C = 0.0884 K A

T

D

II 。能量存储在电容器（焦耳，瓦特 - 秒）

E =

1

2

CV

2

III 。电容器的线性充电（安培）

dV

IC

dt

IV 。电容器的总阻抗（欧姆）

R

2

+ （ XC - XL ）

2

S

五，电容电抗（欧姆）

1

XC =

2

π

fC

Z=

VI 。感抗（欧姆）

x

L

= 2

π

fL

七。相位角：

理想电容器：电流引线电压90 °

理想的电感器：电流滞后于电压90 °

理想的电阻：电流同相的电压

八。耗散系数（ ％ ）

（损耗角） = E.S.R. = （ 2

πfC ）

（ E.S.R. ）

Xc

IX 。功率因数（ ％）

P.F. =正弦（损耗角） = COS（相角）

f

P.F. = （当小于10％ ） = DF

D.F. =棕褐色

十，品质因子（无量纲）

Q =科坦（损耗角） = 1

D.F.

十一。等效串联电阻（欧姆）

E.S.R. = （ D.F. ）度（Xc ）=（ D.F. ）/（2

π

FC ）

十二。功率损耗（瓦特）

电源损耗= （ 2

π

FCV

2

） （ D.F. ）

十三。千伏安（千瓦）

KVA = 2

π

FCV

2

x 10

-3

十四。温度特性（ PPM / ° C）

T.C.的Ct = - C

25

x 10

6

C

25

(T

t

– 25)

XV 。盖漂移（ ％ ）

C

1

– C

2

C.D. =

C

1

x 100

十六。陶瓷电容器的可靠性

V

t

L

0

X

T

t

Y

=

L

t

V

o

T

o

( ) ( )

十七。在串联电容器（电流相同）

1 = 1 + 1 --- 1

CT

C

1

C

2

CN

C

1

C

2

二： CT =

C

1

+ C

2

十八。在并联电容器（电压相同）

CT = C

1

+ C

2

--- + CN

十九。老化率

A.R. = ％

任何号码：

D

时间C /十年

XX 。分贝

DB = 20日志V

1

V

2

公制前缀

PICO

NANO

微

毫

DECI

DECA

千

兆丰

GIGA

TERA

X 10

-12

X 10

-9

X 10

-6

X 10

-3

X 10

-1

X 10

+1

X 10

+3

X 10

+6

X 10

+9

X 10

+12

符号

K

A

T

D

V

t

Rs

=介电常数

=区

=介质厚度

=电压

时间

=串联电阻

f

L

- 频率

=电感

=损耗角

L

t

V

t

V

o

T

t

T

o

=测试生活

- 测试电压

工作电压

=试验温度

工作温度

f

X&Y

L

o

=相角

=电压和温度的指数效应。

=工作生活

2

如何订购

产品型号说明

示例： 08055A101JAT2A

0805

SIZE

（ L" X W" ）

0402

0504

0603

0805

1005

0907

1206

1210

1505

1805

1808

1812

1825

2225

3640

5

A

电介质

C0G （ NP0 ） = A

X7R = C

X5R = D

Z5U = E

Y5V = G

101

J

电容

公差

= ± 0.25 pF的*

= ± 0.50 pF的*

= ± 1 ％ （ ≥ 25 pF的）

= ± 2 ％ （ ≥ 13 pF的）

= ±5%

= ±10%

= ±20%

= +80%, -20%

= +100%, -0%

A

T

终端

2

A

特别**

CODE

A =标准

产品

非标

P =浮雕

无标记

M =浮雕

标

E =标准

包装

标

低调

只有芯片

马克斯。厚度

T = 0.66毫米（ 0.026" ）

S = 0.56毫米（ 0.022" ）

R = 0.46毫米（ 0.018" ）

C

D

F

G

J

K

M

Z

P

标准：

T =镍和锡

PLATED

其他：

7 =镀镍

镀金

1 =钯/银

电压

10V = Z

16V = Y

25V = 3

50V = 5

100V = 1

200V = 2

250V = V

500V = 7

600V = C

1000V = A

1500V = S

2000V = G

2500V = W

3000V = H

4000V = j的

5000V = K

电容

CODE

（ 2显著

数字+无。的

零）

示例：

10 PF = 100

100 PF = 101

1000 PF = 102

22000 PF = 223

220000 PF = 224

1 F = 105

对于低于10 pF的电容值，

用“R”代替

小数点，例如， 9.1

PFD = 9R1 。

失败

率

A =不

适用

包装**

推荐：

2 = 7"卷轴

4 = 13"卷轴

其他：

7 =散装盒

9 =散装

* C&D公差为10 pF的电容值。

**标准磁带和卷轴材料依赖于芯片大小和厚度。

请参阅每个电容值带材料类型单个零件表。

注：未标记的产品标准。标志的产品可在特殊要求，请与AVX 。

标准包装所示的各个表中。

非标包装可根据特殊要求，请与AVX 。

3

C0G （ NP0 ）电介质

一般特定网络阳离子

C0G （ NP0 ）是“温度的最流行的配方

TURE补偿， “ EIA I类陶瓷材料。现代

C0G （ NP0 ）配方中含有钕，钐和

其他稀土氧化物。

C0G （ NP0 ）陶瓷提供最稳定的电容器之一

可用介质。电容随温度的变化

为0 ± 30ppm的/ ° C的不大于± 0.3％

C来自-55°C

至+ 125°C 。电容的漂移或滞后C0G （ NP0 ）

陶瓷是可忽略的，在小于± 0.05 ％和高达

± 2％的薄膜。典型的电容变化的生活少

超过±为C0G （ NP0 ） 0.1％ ，五分之一，所示由最

其他的电介质。 C0G （ NP0 ）配方中不显示衰老

的特点。

该C0G （ NP0 ）配方通常有超过一个“Q”

1000 ，显示小电容或“Q ”的转变

频率。其介电吸收是通常小于

0.6 ％，这是类似于云母和最薄膜。

部件号（见完整的零件号解释第3页）

0805

SIZE

（ L" X W" ）

5

电压

25V = 3

50V = 5

100V = 1

200V = 2

A

电介质

C0G （ NP0 ） = A

101

电容

CODE

J

电容

公差

首选

K = ±10%

J = ± 5%

A

失败

率

A =不

适用

T

终端

T =镀镍

和焊接

2

包装

2 = 7"卷轴

4 = 13"卷轴

A

特别

CODE

A =标准。

产品

性能特点

电容范围

电容公差

0.5 pF至0.1 μF （ 1.0 ± 0.2 Vrms的， 1kHz时，对

≤100

pF的使用1兆赫）

优选±5％ ，±10％

其他可供选择： ± 0.25 pF的，± 0.5 pF的±1 ％ （ ≥25pF ） ，± 2 ％ （ ≥13pF ） ，± 20 ％

为值

≤

10 pF的首选公差为± 0.5 pF的，也可± 0.25 pF的。

-55 ° C至+ 125°C

0 ± 30 PPM / ° C（ EIA C0G ）

25 ， 50 ， 100 & 200 VDC （ + 125°C ）

对于价值观>30 PF： 0.1 ％以下。 （ + 25 ° C至+ 125°C ）

为值

≤30

PF： “Q” = 400 + 20乘C （C为pF ）

100000兆欧分钟。或1000 MΩ - μF分钟，以较低者为准

万兆欧分钟。或100 MΩ - μF分钟，以较低者为准

250 ％额定电压5秒钟，在50 MAMP最大值。当前

1 ± 0.2 Vrms的

为值

≤100

PF： 1兆赫

对于价值观>100 PF： 1千赫

工作温度范围

温度特性

电压额定值

耗散因数和“Q”

绝缘电阻

（ + 25 ° C， RVDC ）

绝缘电阻

（ + 125°C ， RVDC ）

介电强度

测试电压

测试频率

4