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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号: MMG15241H
牧师0 , 12/2010
增强型PHEMT
科技( E-
-pHEMT )
高线性度放大器
该MMG15241H是一种高动态范围,低噪声放大器MMIC ,收纳
采用SOT - 89标准的塑料封装。它是理想的蜂窝, PCS , LTE ,
TD - SCDMA ,W - CDMA基站,无线局域网等系统中的
500至2800兆赫的频率范围。具有较高的OIP3和低噪声系数,它可以
被用作驱动器放大器的发射链和作为第二级LNA
在接收链
.
特点
频率: 500--2800兆赫
噪声系数:2.6 dB的2140兆赫
P1dB为24 dBm的@ 2140 MHz的
小 - 信号增益15.9 dB的2140兆赫
三阶输出截取点: 39.4 dBm的@ 2140 MHz的
单5伏电源
电源电流: 85毫安
50欧姆操作(需要一些外部匹配)
低成本SOT - 89表面贴装封装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000个单位,12个毫米磁带宽度, 7英寸的卷轴。
表1.典型性能
(1)
特征
噪声系数
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
小 - 信号增益
(S21)
功率输出@
1dB压缩
三阶输入
截取点
三阶输出
截取点
符号
NF
IRL
ORL
G
p
P1db
IIP3
OIP3
900
兆赫
1.2
--11.8
--13.4
20.5
24
18.2
38.7
2140
兆赫
1.6
--21.3
--16.2
15.9
24
23.5
39.4
2600
兆赫
1.3
--16.9
--20.9
14.4
24
26.2
40.6
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
MMG15241HT1
500-
-2800兆赫, 15.9分贝
24 dBm的
E-
-pHEMT
CASE 2142-
-01
SOT-
-89A
塑料
表2.最大额定值
等级
电源电压
电源电流
RF输入功率
存储温度范围
结温
(2)
符号
V
DD
I
DD
P
in
T
英镑
T
J
价值
6
130
13
--65到150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.运行可靠,结温不应
超过150 ℃。
1. V
DD
= 5 VDC ,T
A
= 25 ° C, 50欧姆系统中,应用电路调谐
对于特定的频率。
表3.热特性
特征
热阻,结到外壳
外壳温度85°C , 5伏,84毫安,没有RF应用
符号
R
θJC
价值
(3)
59
单位
° C / W
3.请参阅AN1955 ,
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
©
飞思卡尔半导体公司, 2010年。保留所有权利。
MMG15241HT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(V
DD
= 5 VDC , 2140兆赫,T
A
= 25 ° C, 50欧姆系统,在飞思卡尔应用电路)
特征
小 - 信号增益( S21 )
输入回波损耗( S11 )
输出回波损耗( S22 )
输出功率@ 1dB压缩
三阶输入截点
三阶输出截取点
反向隔离( S12 )
噪声系数
电源电流
(1)
电源电压
(1)
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
IIP3
OIP3
|S12|
NF
I
DD
V
DD
14
65
典型值
15.9
--21.3
--16.2
24
23.5
39.4
--22.5
1.6
85
5
最大
105
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
mA
V
1.可靠运行,结点温度不应超过150 ℃。
表5.功能引脚说明
1
2
3
RF
in
RF
OUT
/ DC电源
1
2
3
引脚功能
2
图1.功能框图
表6. ESD保护特性
测试方法
人体模型(每JESD 22 - A114 )
机器型号(每EIA / JESD 22 - A115 )
充电器型号(每JESD 22 - C101 )
2 (最小)
B(最低)
IV (最低)
表7.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 , IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
MMG15241HT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
50 OHM典型特征
25
G
p
,小 - 信号增益(分贝)
T
C
= 25°C
21
--40°C
17
85°C
S11 ,S22 ( dB)的
--10
S22
--20
V
DD
= 5 VDC
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DD
= 5 VDC
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
S11
10
13
9
--30
男,频率(GHz )
男,频率(GHz )
图2.小 -
- 信号增益( S21),与
频率
(1)
图3.输入/输出回波损耗 -
频率
(1)
1.测试夹具的特点已经从数学图形数据中删除。
MMG15241HT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
50 OHM应用电路: 2140兆赫
V
供应
C5
Z4
C4
RF
输入
C2
C1
Z1
Z2
Z3
DUT
Z5
Z6
L1
Z7
C3 C6
RF
产量
Z1
Z2
Z3
Z4
0.026 “× 0.021 ”微带
0.168 “× 0.021 ”微带
0.030 “× 0.044 ”微带
0.200 “× 0.042 ”微带
Z5
Z6
Z7
0.030 “× 0.044 ”微带
0.172 “× 0.021 ”微带
0.353 “× 0.021 ”微带
图4. MMG15241HT1测试电路原理图
表8. MMG15241HT1测试电路组件牌号和值
部分
C1
C2
C3
C4
C5
C6
L1
PCB
描述
1.5 pF的贴片电容
0.8 pF的贴片电容
0.7 pF的贴片电容
56 pF的电容芯片
0.1
μF
贴片电容
5.6 pF的电容芯片
30 nH的片式电感
0.010″,
ε
r
= 3.38 ,多层
产品型号
GJM1555C1H1R5CB01D
GJM1555C1HR80BB01D
GJM1555C1HR70BB01D
GRM188RC1H560GA01D
GRM188R71H104KA93D
GJM1555C1H5R6DB01D
0603CS--30NXJLW
IS680--338
生产厂家
村田
村田
村田
村田
村田
村田
Coilcraft公司
伊索拉
MMG15241HT1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
50 OHM应用电路: 2140兆赫
RF
IN
RF
OUT
C1
C6
C2
C3
L1
C4
C5
SOT--89--3B
第0版
V
DD
图5. MMG15241HT1测试电路元件布局
表8. MMG15241HT1测试电路组件牌号和值
部分
C1
C2
C3
C4
C5
C6
L1
PCB
描述
1.5 pF的贴片电容
0.8 pF的贴片电容
0.7 pF的贴片电容
56 pF的电容芯片
0.1
μF
贴片电容
5.6 pF的电容芯片
30 nH的片式电感
0.010″,
ε
r
= 3.38 ,多层
产品型号
GJM1555C1H1R5CB01D
GJM1555C1HR80BB01D
GJM1555C1HR70BB01D
GRM188RC1H560GA01D
GRM188R71H104KA93D
GJM1555C1H5R6DB01D
0603CS--30NXJLW
IS680--338
生产厂家
村田
村田
村田
村田
村田
村田
Coilcraft公司
伊索拉
(组件牌号和值表重复以供参考。 )
MMG15241HT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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