- ICBT的结构类似于MOSFET2016/11/24 21:38:26 2016/11/24 21:38:26
- ICBT的结构类似于MOSFET,不同点在于IGBT在N沟道功率MOSFET的N+基板(漏极)上增加了一个P+基板(IGBT的集电极),形成PN结J1,并由此引出漏极,MAX3222IDWR其栅...[全文]
- 阻容工角抑制过电压2016/11/23 21:04:46 2016/11/23 21:04:46
- 为了限制电路电压上升率过大,确保晶闸管安全运行,常在晶闸管两端并联RC阻容吸网络,S93C46BD利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感),...[全文]
- 光电耦合器的值测量2016/11/22 19:56:19 2016/11/22 19:56:19
- 对于晶体三极管来说,当基极有输入电流J:时,在集电极就可得到电流Jc,r:和Jc的比值称为三极管的值。类似的,对于二极管、三极管型光电耦合器来说,H5PS5162FFR-S5C当光敏二极管通以正...[全文]
- 带状电缆接插件2016/11/21 21:29:44 2016/11/21 21:29:44
- 带状电缆接插件。带状电AFD51-18-30SN-6116-LC缆是一种扁平电缆,从外观看像是几十根塑料导线并排黏合在一起。带状电缆占用空问小,轻巧柔韧,布线方便,不易混淆。带状电缆插头是电缆两...[全文]
- 固有电容2016/11/21 21:19:47 2016/11/21 21:19:47
- 固有电容。电感线圈的各匝绕组之间通过空气、绝缘层和骨架而存在分布电容,同时在屏蔽罩之间、AFD51-18-30PY-6116多层绕组的每层之间、绕组与底板之间也都存在着分布电容。这...[全文]
- 云母电容(型号为CY)2016/11/21 21:00:36 2016/11/21 21:00:36
- 云母电容(型号为CY)。以云母为介质,用锡箔和云母片(或用喷涂银层的云母片)层叠后在胶木粉中压铸而成。由于云母材料优良的电气性能和机械性能,AFD51-18-30PN-6116-LC使云母电容的...[全文]
- 中频电源对整流触发电路的要求2016/11/20 14:56:09 2016/11/20 14:56:09
- 脉冲的频率和相位。在二相MAX1044ESA桥式全控整流电路中共用・6只晶闸管元器件,因此要求触发电路提供6路周期性触发信号(吒l、‰、吒3、‰、‰5、‰),而且6路触发脉冲的相位...[全文]
- 中频电源的优点及分类2016/11/19 19:18:32 2016/11/19 19:18:32
- 1)中频电源的优点中频电源是用电力半导体元器件组成MAX2641EUT+T的一种静止变频电源,是通过晶间管将I频(mHz)变换为中频(碉0Hz~⒛0kHz)的静止变频技术。它有两种...[全文]
- 高效节能2016/11/18 21:50:02 2016/11/18 21:50:02
- 绿色照明是美国国家环保局于⒛世纪90年代初提出的现代照明的概念,包含高HMC197BE效节/能、环保、安全、舒适共4项指标,内容如下。①高效节能:光源与照明系统应满足国家相应的能耗...[全文]
- 按照照明产品标准体系,2016/11/18 21:46:49 2016/11/18 21:46:49
- 国家标准的起草和审议由全国照明电器标准化技术委员会(SAαTC”4)等机构或协会负责,HMC190BMS8ETR主管单位为中国国家标准化管理委员会。此外,国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA...[全文]
- 按照照明产品标准体系,2016/11/18 21:46:49 2016/11/18 21:46:49
- 国家标准的起草和审议由全国照明电器标准化技术委员会(SAαTC”4)等机构或协会负责,HMC190BMS8ETR主管单位为中国国家标准化管理委员会。此外,国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA...[全文]
- 市场分析 2016/11/17 22:31:07 2016/11/17 22:31:07
- 伴随着转变经济发展方式及节能减排的需求,照明领域的产业升级及转型大幕正在徐徐拉开,半导体照明替代传统照明灯具己是大势所趋。PBLS2003S半导体照明产品的市场应用前景广阔,各国政府的政策支持也...[全文]
- 受激分子从激发态回到基态2016/11/15 22:08:35 2016/11/15 22:08:35
- 激发态很不稳定,受激分子从激发态回到基态,辐射跃迁而产生发光现象,AD8506ARMZ-REEL7这种现象一般有以下5个阶段。(1)载流子的注入:在直流低压高电场驱动下,空穴和电子...[全文]
- 有机发光二极管 2016/11/15 22:04:22 2016/11/15 22:04:22
- 1963年,PopC等人在10~20mm厚的有机材料蒽晶体两端通电,观察到发光现象,但AD8052ARZ-REEL其驱动电压必须高达100V以上才能发出微弱的蓝光。1979年,在美国柯达公司工作...[全文]
- IEC早期一直没有灯具的性能系列标准2016/11/15 21:55:27 2016/11/15 21:55:27
- IECTC34/sC34D制定了灯具性能系列标准,其中IEC/PASω”2-l为一般要求,IEC/PAsω2-2△为LED灯具特殊要求,标准如下:IEC/s能”⒉1《灯具性能第l部分:一般要求》...[全文]
- zigbee通信2016/11/14 20:36:54 2016/11/14 20:36:54
- zigbee是一种提供固定、便携或移动设备使用的低复杂度、低成本、低功耗、低速率W234XT的无线连接技术。这个名字来源于蜂群使用的赖以生存和发展的通信方式,蜜蜂通过跳zegZag形状的舞蹈来分...[全文]
- LED的静电损伤防护措施2016/11/13 19:13:38 2016/11/13 19:13:38
- 加强生产过程中的静电防护LED芯片耐压较低,结构脆弱,容易被静电脉冲击穿失效,而且静电引起的LED失效具有隐蔽性,K4D263238E-GC33很难通过快速简便的筛选方法进行剔除,...[全文]
- 机器模型敏感度(MM)2016/11/13 19:12:17 2016/11/13 19:12:17
- 机器模型的损害主要来源是能量迅速地从一个带电的导电体传输到器件的导电引脚。K4D263238D-QC50这个静电放电模型是20OpF的电容直接对50OnH的电感器放电,没有串联电阻。由于缺乏限制...[全文]
- LED静电损伤的特点2016/11/13 19:04:53 2016/11/13 19:04:53
- 静电放电引起发光二极管PN结的击穿,是LED器件封装和应用组装工业中静电危害的主要方式。K4D261638I-LC40静电放电对LED的危害非常大,造成8%~33%的良率损失,而且其损伤不是直接...[全文]
- 静电电荷也可以以其他非摩擦的方式产生2016/11/13 19:01:27 2016/11/13 19:01:27
- 静电电荷也可以以其他非摩擦的方式产生,比如感应带电,离子轰击,接触另一个静电的物体。K4D261638F-TC40然而,摩擦带电是最普遍的。GaN基LED在生产过程中,从原材料的转移,加工处理,...[全文]
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