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电路设计与元器件选择2018/1/4 12:45:44
2018/1/4 12:45:44
设计数字温度计电路,测量范围至少能实现-10℃~100℃,误差在0.5℃内。A6817SEP恒定电流源设计RTD传感器的电阻值随温度变化情况见表6.3.1,从-10℃...[全文]
焊接五步法操作示意图2017/12/21 21:22:19
2017/12/21 21:22:19
移开焊丝:当焊丝熔化一定量后,立即将焊丝向左上45°方向移开,如图5-3J(d)所示。KBJ2D移开电烙铁:焊锡浸润焊盘或焊件的施焊部位后,向右上45°方向移开电烙铁,完成焊接,如...[全文]
由于静电放电击穿GaN基LED的放电过击穿过程的发生2017/12/2 16:09:53
2017/12/2 16:09:53
大的应力;当应力通路晶格常数的改变得到释放时,就会产生位错(dis1ocatiOn),这种由NC7SZ57P6X晶格不匹配产生的位错可以在GaN晶体中延伸很长,甚至延伸到表面,形成V形位错。图中...[全文]
直接带隙半导体材料就是导带最小值2017/12/2 15:48:26
2017/12/2 15:48:26
直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和价带最大值在庀空间中同一位置。N270SLB73电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。直接带隙半导体的重要性质:当价带...[全文]
基于仿真模型的集束型装备建模 2017/11/29 21:38:41
2017/11/29 21:38:41
随着计算机技术及现代仿真技术的发展,作为研究复杂系统的重要工具,仿真调K9F1G08U0D-SCB0度变得越来越有意义。离散事件系统仿真方法能够用来描述加工晶圆的动态和随机特征。通过建立描述性的...[全文]
Pctri网的活性2017/11/27 21:58:10
2017/11/27 21:58:10
活性。R114191300如果一个变迁在状态MO和MI的转换过程中至少触发一次,则该变迁为活的。Pctri网的活性,就是所有变迁都是活的。与活性相反的描述是死锁,死锁是由资源不合理利用或者资源消...[全文]
BIST设计测试是比较容易达成的2017/11/22 21:11:14
2017/11/22 21:11:14
在储存器的测试中,BIST设计测试是比较容易达成的。例如,储存器的扫描图形(sca>pattcrn)、OB2354AP行进图形(marchpattern)的地址信号产生是规则而且重复的,从0逐一...[全文]
自动测试矢量生成的其他应用2017/11/22 20:47:20
2017/11/22 20:47:20
自动测矢量生成除了能够侦测固定式故障,对于不断发展的半导体技术,还能够OB2268CCPA测试其他的障碍,比如传播延迟故障,电源噪音,串扰失效。延迟故障的检测需要在电路所设计I作速度下测试,所以...[全文]
统计意义的显著性和工程意义的显著性的区别2017/11/21 21:13:26
2017/11/21 21:13:26
一般工艺线卜采用trendchart.b°xplot等方式对于两组样本数据进行直观的比较。TC1047AVNBTR不过由于异常点等噪声十扰T程人员的判断,有时惠接从图表上看不出明显的区别。此时,...[全文]
Ioff等数据常常需要取对数之后再做correlation2017/11/20 21:12:17
2017/11/20 21:12:17
做correlation分析时,有时候TLC1543CN对数据进行适当的变换能得到更好的结果c例如,Ioff等数据常常需要取对数之后再做correlation:一个简单的经验原则是检查respo...[全文]
椭圆偏振光谱仪 2017/11/18 17:15:32
2017/11/18 17:15:32
椭圆偏振光是最常兕的偏振光,当两个方向上的电场分董具有可变相位差和不同的振幅时,光矢量末端在垂直于传播方向的平面L描绘出的轨迹为-椭圆,故称为椭圆偏振光。SC1740R椭圆偏光法是...[全文]
透射电子2017/11/15 20:55:41
2017/11/15 20:55:41
透射电子:如果被分析的样品很薄.就会有一部分人射电子穿过薄样品而成为透射电子。T0610MH透射电子显微镜(TEM)I作原理是基于透过样品的透射电子带有反映样品特征的信息,经物镜形成一次放大电子...[全文]
电子像的明暗程度取决于电子束的强弱2017/11/15 20:49:08
2017/11/15 20:49:08
除了与人射能量有关外,T048-2DCR还与二次电子束与试样表面法向夹角有关,三者之间满足以下关系。可见,人射电子束与试样夹角越大,二次电子产额也越大。这是因为随汐角的增加人射电子束在样品表层范...[全文]
检查中频电源整流器输人端三相电源是否正常2017/11/14 21:14:51
2017/11/14 21:14:51
故障现象:中频电源控制电源打开后,按启动PMBF4392按钮,中频电源无反应,中频电源控制柜上的整流脉冲电压表、电流表均无指示。故障分析及处理:产生此故障的原因及处理方法如下。...[全文]
oBIRCH/XIVA2017/11/14 20:59:10
2017/11/14 20:59:10
新型的发光显微镜配有ΘBIRCH新功能。图14.8是OBIRCH的原理图,利用波长为1340nm的霄射扫描芯片的正面或背面,检测器件电压/阻值或者电流的变化;PMBT2369雷射激发的能量以热的...[全文]
资料收集和分析2017/11/13 20:19:11
2017/11/13 20:19:11
(1)制造厂、型号名SN74LS164MEL称、外壳类型、生产日期、批号。(2)用户、使用设备名称、台号、失效部位、累计运行时问。(3)发生失效的环境:调试、运行、振...[全文]
采用研磨粒为氧化硅(SiO)的研磨液2017/11/11 18:42:30
2017/11/11 18:42:30
第一步:采用研磨粒为氧化硅(SiO)的研磨液,去除大部分的氧化硅(Si()2)层,留下1Ⅱ000A至~9OQOA的氧化硅(s02)层在多晶硅门(poly)~h。QL4016-3PF100I...[全文]
一种革命性的抛光技术脱颖而出2017/11/10 22:42:56
2017/11/10 22:42:56
在这样的情况下,OP262GS一种革命性的抛光技术脱颖而出,固定研磨粒抛光△艺(dAbrasiveS1′ICMP,FASTICMI)),成功地将凹陷降低至(100A(约100um宽的沟槽)。然任...[全文]
给出各功能模块的HDL程序2017/11/9 12:27:28
2017/11/9 12:27:28
给出各功能模块的HDL程序。H10.000C1给出各功能模块电路的仿真结果。画出顶层电路的原理图。给出下载至实验箱后电路的调试结果。总结实...[全文]
新建仿真文件2017/11/9 12:07:18
2017/11/9 12:07:18
新建仿真文件,“Name”名称取“Param”,“SimulationSetting”窗口中先在“Analysistype”下拉列表框中选择分析类型为“ACSweep”。选项“GeneralSe...[全文]
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