- 部分译码2016/7/7 22:17:34 2016/7/7 22:17:34
- 全译码是将其余的全部高位地址线经过译码器译码以后作为各芯片的片选信号,若只将A2S60-A1-RH高位地址线的一部分经过译码器译码以后作为各芯片的片选信号,这样的片选方式称为部分译码。例如,要用...[全文]
- 在工作电压下测量样品的泄漏电流2016/7/3 17:49:59 2016/7/3 17:49:59
- 1.初测在工作电压下测量样品的泄漏电流,NT407F泄漏电流大于11IA的样品,不用于下一步的试验过程。2.温度和恒定电压应力试验的温度应力选择在85~...[全文]
- 栅极应力电压选择2016/7/3 17:39:38 2016/7/3 17:39:38
- 1.栅极应力电压选择选定漏极应力电压,需确定NDP7061最坏的栅极应力电压,该电压可能出现在最大衬底电流附近,或者是/Gs=‰s,%s〓‰s/2处。最坏栅极应力电压会导致器件最大...[全文]
- 热载流子注人效应 2016/7/3 17:33:23 2016/7/3 17:33:23
- 热载流子是指其能量比费米能级大几个kT以上的载流子,这些载流子与晶格不处于热平衡状态。NDP6060载流子通过声子发射把能量传递给晶格,这会造成在si/so2界面处能键的断裂,热载流子也会注入s...[全文]
- 恒定电场等比例缩小规则2016/6/29 21:02:19 2016/6/29 21:02:19
- 恒定电场等比例缩小规则的基本出发点是在器件横向和纵向尺寸缩小的同时,H5TQ2G83EFR-PBC将其电压按同一比例因子α缩小,目的是保持在缩小的器件中电场形态与在原先的器件中一样。...[全文]
- 国外MPW服务情况2016/6/28 21:38:10 2016/6/28 21:38:10
- 世界上集成电路研发领先的国家与地区,均提供MPW多项目晶圆服务。目前ADE7758ARWZ国外实施的MPW计划主要有美国的MOsIs(Mctal-0xidc-semiconductor-Impl...[全文]
- 亚微米CM0s工艺斜坡击穿电压与寿命时间2016/6/27 22:10:02 2016/6/27 22:10:02
- 对于斜坡上升速率为0.5MV/(cm・s)时的测量数据,击穿电流设置在100mA/cm2,即1zOILA时,BP3105斜坡步进时间是0,056s,斜坡步进电压是0.05V,栅氧化...[全文]
- 对于威布尔分布的统计分析2016/6/23 22:00:34 2016/6/23 22:00:34
- 对于威布尔分布的统计分析,其包含两个方面:参数估计和分布假设检验。对ADM1088AKS-REEL7于参数估计,它指的是在假定产品寿命服从威布尔分的情况下,利用试验数据给出失效率的估计,它包括完...[全文]
- 外引线的腐蚀2016/6/22 21:22:48 2016/6/22 21:22:48
- 引脚材料多用柯伐,它是铁一镍钻的合金,其线膨胀系数与钼相近,使用中常引起腐蚀。Q20025-0059B除了其在机械加工引入应力而产生应力腐蚀外,还存在电化学腐蚀反应,当存在Cr等杂质离子时,腐...[全文]
- CMOs电路的闩锁效应(Lgch up) 2016/6/22 21:09:32 2016/6/22 21:09:32
- CMOs反相器电路图及其工艺结构如图5.⒛所示。从图中可见,衬底与P阱中分别存在着寄生三极管VT1/VT3与VT2/VT4。当CMOs电路处于正常工作状态时,D1FK60如果没有外来噪声的干扰,...[全文]
- Roy提出在sio2的粘弹温度2016/6/21 23:03:17 2016/6/21 23:03:17
- Roy提出在sio2的粘弹温度(Ⅵs∞clastictcmperaturc)以上生长Sio2是有好处的,因在高温下so2的粘性减小引入了生长应力,在随后的冷却过程中应力逐步增加。OF280SC5...[全文]
- 各种工艺/器件参数对NBTI的影响2016/6/21 22:22:55 2016/6/21 22:22:55
- 氢是MOs集成电路氧化层最常见的杂质,在IC黹刂造的不同阶段都有可能被引入到氧化层中,OF140SA100D如氮化沉积和退火过程等。氢在干氧中的浓度大约为1019Gm3,在湿氧中浓度大约为1yO...[全文]
- 漏雪崩热载流子2016/6/19 19:17:14 2016/6/19 19:17:14
- 漏雪崩热载流子(DAHC,DrainAvalanchcHotCa△icr)-由漏端强电场导致的雪崩倍增效应引起的电子从沟道获得足够高的能量,ESD5Z7.0T1G经碰撞电离后产生电...[全文]
- 热载流子注入效应的产生机理2016/6/19 19:03:40 2016/6/19 19:03:40
- 热载流子注入效应的产生机理热载流子是指其能量比费米能级大几个kT以上的载流子,这些载流子与晶格不处于热平衡状态,ESD5Z12T1G当其能量达到或超过Si/sio2界面势垒时(对电...[全文]
- CMOs集成电路的基本制造工艺2016/6/18 20:41:27 2016/6/18 20:41:27
- CMOs集成电路的基本制造工艺0.18umェ艺为CMOS工艺发展的一个关键节点。在0.18um以上,CMOS工艺的隔离方式OP2177ARZ-REEL是采用局部氧化(Loc时0xi...[全文]
- 水气的控制也是非常重要的2016/6/16 20:56:15 2016/6/16 20:56:15
- 水气的控制也是非常重要的。水蒸气OP249GS是一种气体,和其他污染气体一样,也会导致多余的反应。在晶圆制造厂中加工晶圆时带有水气是个严重的问题。当有氧气或水分存在时,硅很容易被氧化。所以控制多...[全文]
- 通常用做阻挡层的金属是具有高熔点的难熔金属2016/6/14 20:52:22 2016/6/14 20:52:22
- 通常用做阻挡层的金属是具有高熔点的难熔金属。在硅工EL5371IUZ艺中,用于多层金属化的普通难熔金属有△、W、%、Mo、Co及Pt。用△作为阻挡层的优点是增强铝合金连线的附着,减小接触电阻,减...[全文]
- 合金工艺2016/6/13 21:54:41 2016/6/13 21:54:41
- 合金法又称烧结法,这种方法不仅可以形成欧姆接触,而且可以制备PN结。HCNR201合金时,将金属放在晶圆上,装进模具,压紧后,在真空中加热到熔点以上,合金熔解,降温后与晶圆凝固而结合在一起,形成...[全文]
- 溅射后圆片发雾一般有两种2016/6/13 21:47:01 2016/6/13 21:47:01
- 溅射后圆片发雾一般有两种,一种为HCF4051BE圆片表面异常造成的发雾,一种为Al被氧化造成的发雾。Al被氧化造成的发雾基本原因有5种:(1)靶温过高,造成的原因基本为靶冷却有问...[全文]
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