电磁屏蔽材料的选择
发布时间:2011/11/12 11:12:39 访问次数:12097
电磁屏蔽是一种抑制以空间形式传递辐射干扰的重要手段, OPA2131U是一种利用金属板(网)、金属盒(箱)以及各种具有屏蔽效能的复合材料等屏蔽体来阻止或减小电磁能量传播的措施。
1.屏蔽的种类和要求
屏蔽的种类和要求见表2-14。
另外,电磁屏蔽还可按表2-15分类。
应用屏蔽措施时应注意:①铁磁屏蔽会使元件电感增加,电磁屏蔽使元件电感减小;②电磁屏蔽使电感元件有功损耗上升。品质因数Q下降;③无论电磁或铁磁屏蔽,接地后都兼有静电屏蔽作用。
2.常用屏蔽材料的性能
(1)金属铁磁材料适用于低频(f<300Hz)磁场的磁屏蔽。较常用的有纯铁、铁硅合金(即硅钢等)、铁镍软磁合金(即坡莫合金)等。相对磁导率μr越高,屏蔽效果越好;层数越多,屏蔽也越好。常用金属铁磁材料的/值见表2-16。
(2)非金属磁性材料——铁氧体磁性材料该材料在高频时具有较高的磁导率,电阻率较大,且具有较高的介电性能,已广泛应用于高频弱电领域。
(3)良导体材料适用于高频电磁场、低频电场以及静电场的屏蔽。部分材料的相对电导率见表2-17。高频电磁场及低频电场的屏蔽应选用表2-17中的高电导率良导体(如铜、铝等)。
常用的屏蔽薄板材除了铜板、铝板等外,还常用铍青铜、锡磷青铜等(具有弹性)作开启的门盖。
作为通风用屏蔽网,通常采用紫铜丝制作。用于频率不大于100MHz的大面积通风窗孔。网孔越小、线径越粗,屏蔽越好。f >lOOMHz时,金属丝网屏蔽效能明显下降。
3.几种材料的电磁波渗透深度
紫铜、黄铜(62)和铝的电磁波渗透深度见表2-18。
4.具有高磁导率的合金磁屏蔽材料
这类合金主要是铁一镍( Fe-Ni)合金中的lj46、1jso、lj54、lj76、lj77、lj79、lj80、lj83、lj85、lj86和铁一铝(Fe-Al)合金中的lj16。
5.电磁屏蔽材料的选用原则
①应根据使用环境(即干扰扬的性质、使用频率)选用屏蔽材料。
②必须考虑合适的性(能)价(格)比。不可片面追求屏蔽效能。
③冷轧取向硅钢片(DQ型)在轧制方向使用时,能充分利用其磁性能,降低损耗;而当需要无取向屏蔽时,应选择DW型冷轧无取向硅钢片。
④对于强磁场的屏蔽,可采用双层磁屏蔽体的结构。支撑件接地一般选用良导体,以防电场感应。
⑤应注意综合使用接地、屏蔽、滤波等措施。屏蔽的效能与接地密切相关。屏蔽体应接地,而且应单点接地,以避免在屏蔽体内形成回路,造成干扰而引起屏蔽效能下降。电缆的屏蔽颇有讲究:低频电路可单端接地;磁场屏蔽应两端接地;高频电路除双端接地外,应每隔0.1λ(波长)距离接一次地;接地时,电缆屏蔽层应散开成360。,与屏蔽外壳良好焊接。
屏蔽与滤波相结合。容易引入电磁干扰的I/O接口和电源线输人口应分别采用信号滤波器和电源滤波器,方能保证屏蔽效能。
电磁屏蔽是一种抑制以空间形式传递辐射干扰的重要手段, OPA2131U是一种利用金属板(网)、金属盒(箱)以及各种具有屏蔽效能的复合材料等屏蔽体来阻止或减小电磁能量传播的措施。
1.屏蔽的种类和要求
屏蔽的种类和要求见表2-14。
另外,电磁屏蔽还可按表2-15分类。
应用屏蔽措施时应注意:①铁磁屏蔽会使元件电感增加,电磁屏蔽使元件电感减小;②电磁屏蔽使电感元件有功损耗上升。品质因数Q下降;③无论电磁或铁磁屏蔽,接地后都兼有静电屏蔽作用。
2.常用屏蔽材料的性能
(1)金属铁磁材料适用于低频(f<300Hz)磁场的磁屏蔽。较常用的有纯铁、铁硅合金(即硅钢等)、铁镍软磁合金(即坡莫合金)等。相对磁导率μr越高,屏蔽效果越好;层数越多,屏蔽也越好。常用金属铁磁材料的/值见表2-16。
(2)非金属磁性材料——铁氧体磁性材料该材料在高频时具有较高的磁导率,电阻率较大,且具有较高的介电性能,已广泛应用于高频弱电领域。
(3)良导体材料适用于高频电磁场、低频电场以及静电场的屏蔽。部分材料的相对电导率见表2-17。高频电磁场及低频电场的屏蔽应选用表2-17中的高电导率良导体(如铜、铝等)。
常用的屏蔽薄板材除了铜板、铝板等外,还常用铍青铜、锡磷青铜等(具有弹性)作开启的门盖。
作为通风用屏蔽网,通常采用紫铜丝制作。用于频率不大于100MHz的大面积通风窗孔。网孔越小、线径越粗,屏蔽越好。f >lOOMHz时,金属丝网屏蔽效能明显下降。
3.几种材料的电磁波渗透深度
紫铜、黄铜(62)和铝的电磁波渗透深度见表2-18。
4.具有高磁导率的合金磁屏蔽材料
这类合金主要是铁一镍( Fe-Ni)合金中的lj46、1jso、lj54、lj76、lj77、lj79、lj80、lj83、lj85、lj86和铁一铝(Fe-Al)合金中的lj16。
5.电磁屏蔽材料的选用原则
①应根据使用环境(即干扰扬的性质、使用频率)选用屏蔽材料。
②必须考虑合适的性(能)价(格)比。不可片面追求屏蔽效能。
③冷轧取向硅钢片(DQ型)在轧制方向使用时,能充分利用其磁性能,降低损耗;而当需要无取向屏蔽时,应选择DW型冷轧无取向硅钢片。
④对于强磁场的屏蔽,可采用双层磁屏蔽体的结构。支撑件接地一般选用良导体,以防电场感应。
⑤应注意综合使用接地、屏蔽、滤波等措施。屏蔽的效能与接地密切相关。屏蔽体应接地,而且应单点接地,以避免在屏蔽体内形成回路,造成干扰而引起屏蔽效能下降。电缆的屏蔽颇有讲究:低频电路可单端接地;磁场屏蔽应两端接地;高频电路除双端接地外,应每隔0.1λ(波长)距离接一次地;接地时,电缆屏蔽层应散开成360。,与屏蔽外壳良好焊接。
屏蔽与滤波相结合。容易引入电磁干扰的I/O接口和电源线输人口应分别采用信号滤波器和电源滤波器,方能保证屏蔽效能。
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