近日，英特尔和意法半导体宣布开始向客户提供采用创新的相变存储器(pcm)技术制造的未来存储器的原型样片，这是存储器工业发展史上的一个重要的里程碑。这些原型样片是市场上首批交付给客户评测的相变存储器的功能芯片，使相变存储器技术向商业化目标又迈进了一步。

　　这款代码为“alverstone”的存储器芯片采用相变存储器技术。相变存储器是一种前景看好的新型存储技术，数据读写速度非常快，功耗低于传统的闪存技术，而且支持通常只有随机存取存储器(ram)才具备的以数据位为单位的修改功能。相变存储器一直以来是存储技术研发领域的一个热门研究话题，“alverstone”的推出，标志着英特尔和意法半导体已全力推动这项技术的商业化进程。

　　“这是非易失性存储器发展40年来取得的最大进步，”numonyx(即将成立的意法半导体和英特尔的合资闪存公司)的首席技术执行官ed doller表示，“为了寻找和开发新的非易失性存储技术，研发人员进行了大量的尝试，提出了很多先进的概念，其中相变存储技术是最引人关注的解决方案。今天英特尔和意法半导体把相变存储器交给客户，这对于半导体工业以及我们两家公司都是一个具有里程碑意义的重大事件。”

　　在相关的新闻报导中，英特尔和意法半导体的科研人员最近在国际固态电路大会(isscc)上提出了一篇关于相变存储技术的另一重大进步的论文，两家公司合作开发出了世界首款能够在电路板上演示的采用相变存储技术制造的高密度多层单元(mlc)芯片。从每单元只能存储一个数据位的单层单元到多层单元技术的发展，不仅大幅度提高了存储密度，还降低了每个字节的存储成本，因此，采用多层单元和相变存储两大技术的存储器是存储器技术发展上的一次重大进步。

　　2003年，英特尔和意法半导体成立了一个相变存储器合作开发项目组(jdp)。在2004年超大规模集成电路研讨会(vlsi)上，这个项目组演示了采用180纳米工艺制造的8兆位相变存储阵列；在2006年vlsi研讨会上，该项目组率先发布了采用90纳米的128兆位的alverstone相变存储器芯片。2007年5月，意法半导体、英特尔和francisco partners签订合资协议，成立了一家独立的半导体公司-numonyx，“alverstone”和相变存储器合作开发项目组的未来产品都将转交新公司。新公司的战略重点是提供完整的存储器解决方案，目标市场锁定在消费电子产品和工业设备，包括手机、mp3播放器、数码相机、计算机等高科技设备。合资方计划在2008年第一季度完成这笔交易。

　　据web-feet市场研究有限公司的研究报告，2007年动态随机存取存储器(dram)、闪存和电可擦除可编程只读存储器(eeprom)等存储器的市场总价值达到610亿美元。按照传统方式计算，存储器技术的成本以摩尔定律的速度下降，随着光刻图形尺寸的每一次缩减，存储器的密度每隔18个月就提高一倍。在今后十年内，随着随机存取存储器(ram)和闪存技术的特征尺寸缩减受到限制，相变存储器将会以更快速的速度降低成本。相对于今天的技术，多层单元相变存储器的问世将会进一步加快相变存储器技术的每位成本的下降速度。最终，因为集动态随机存取存储器(dram)的位可修改特性、闪存的非易失性、nor闪存的快速读取特性和nand闪存的快速写入特性于一身，相变存储器将能够满足整个存储器市场的需求，而且可能会成为今后10年推动市场增长的一个主要动力。alverstone是一款采用90纳米技术制造的128兆位相变存储器，设计目的是让存储器客户评测相变存储器的性能，让手机和嵌入式系统客户更好地了解相变存储技术，以及如何在他们未来的系统设计中整合变相存储器。