抑制器以线性方式控制串接N通道MOSFET最大输出电压箝位
发布时间:2024/5/18 15:16:57 访问次数:48
瞬变电压抑制器(TVS)二极管，从局部箝位ECU电源。更紧凑、容差更严格的方法则是使用主动浪涌抑制器，例如LTC4364，该抑制器以线性方式控制串接的N通道MOSFET，将最大输出电压箝位至用户配置的水平（例如，27V）。
浪涌抑制器可以帮助断开输出，支持可配置限流值和欠压锁定，且可使用背靠背NFET提供通常需要的反向电池保护。AQR111-B0-C
这些SOA导致的限制随着工作电压升高变得更加严重,增加浪涌抑制器在24V和48V系统中使用的难度。
二级信号接口选用ESD静电保护二极管DW05DLC-B-S，工作电压5V、低钳位电压18.3V、低漏电流1uA。
根据IEC 61000-4-2标准，它可用于提供高达±30kV（空气放电）/±30kV（接触放电）的ESD保护，根据IEC 61000-4-5，可承受17A（8/20us）的峰值脉冲电流，对接口芯片能够提供可靠的静电和浪涌保护。ESD二极管DW05DLC-B-S结电容1PF，能够保证射频信号传输的完整性。
一般来说，相关设备不会永久地以其设计的最大功率运行，而只能短时间运行。 因此，为了有效节能，“绿色要求”不仅仅针对满载效率。
相反，他们倾向于通过指定平均效率或不同负载情况下的效率比的最低水平来应对实际操作条件。因此，全负载以及中负载和轻负载效率比已成为需要解决的关键点。
瞬变电压抑制器(TVS)二极管，从局部箝位ECU电源。更紧凑、容差更严格的方法则是使用主动浪涌抑制器，例如LTC4364，该抑制器以线性方式控制串接的N通道MOSFET，将最大输出电压箝位至用户配置的水平（例如，27V）。
浪涌抑制器可以帮助断开输出，支持可配置限流值和欠压锁定，且可使用背靠背NFET提供通常需要的反向电池保护。AQR111-B0-C
这些SOA导致的限制随着工作电压升高变得更加严重,增加浪涌抑制器在24V和48V系统中使用的难度。
二级信号接口选用ESD静电保护二极管DW05DLC-B-S，工作电压5V、低钳位电压18.3V、低漏电流1uA。
根据IEC 61000-4-2标准，它可用于提供高达±30kV（空气放电）/±30kV（接触放电）的ESD保护，根据IEC 61000-4-5，可承受17A（8/20us）的峰值脉冲电流，对接口芯片能够提供可靠的静电和浪涌保护。ESD二极管DW05DLC-B-S结电容1PF，能够保证射频信号传输的完整性。
一般来说，相关设备不会永久地以其设计的最大功率运行，而只能短时间运行。 因此，为了有效节能，“绿色要求”不仅仅针对满载效率。
相反，他们倾向于通过指定平均效率或不同负载情况下的效率比的最低水平来应对实际操作条件。因此，全负载以及中负载和轻负载效率比已成为需要解决的关键点。
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