浮栅技术设计提供强大电荷隔离和优秀电压阈值分布技术
发布时间:2024/1/4 13:29:16 访问次数:45
Solidigm PLC NAND将采用浮栅技术,这也进一步验证了该技术在引领每单元比特数的可扩展性方面具有固有优势。
Solidigm相信,浮栅技术的设计可以提供强大的电荷隔离和优秀的电压阈值分布技术,这也使其可以向更多的比特/单元拓展。
此外,由于PLC技术能够在制造QLC NAND的设备上进行生产,因此,Solidigm能够将技术路线快速演进至PLC上。Solidigm PLC SSD将率先用于数据中心的解决方案中,具体时间待定。
232层NAND技术标志着美光第六代NAND即将进入大规模,突破性的超高堆叠层数和CuA技术使每颗芯片仅需极小的尺寸就可存储高达1Tb的容量,这意味着232层NAND的比特密度比上一代176层NAND高出45%以上.
1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品——GD25UF系列,在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平,在针对智能可穿戴设备、健康监测、物联网设备或其它单电池供电的应用中,能显著降低运行功耗,有效延长设备的续航时间。
HYPERRAM™是一款基于PSRAM的独立易失性存储器,它可提供一种经济实用的添加方式来扩展存储器。其数据速率与SDR DRAM相当,但所用的引脚数更少,功耗更低。
密度的增加也进一步改善了封装规格,全新的11.5mmx13.5mm封装尺寸较前几代小28%。这些突破意味着大容量、高性能的存储产品将能搭载在更多类型的设备上。
HyperBus™接口每个引脚的数据吞吐量更高,从而可以使用引脚数较少的微控制器(MCU)和层数较少的PCB,为目标应用提供复杂性更低以及成本更优化的的设计方案。
Solidigm PLC NAND将采用浮栅技术,这也进一步验证了该技术在引领每单元比特数的可扩展性方面具有固有优势。
Solidigm相信,浮栅技术的设计可以提供强大的电荷隔离和优秀的电压阈值分布技术,这也使其可以向更多的比特/单元拓展。
此外,由于PLC技术能够在制造QLC NAND的设备上进行生产,因此,Solidigm能够将技术路线快速演进至PLC上。Solidigm PLC SSD将率先用于数据中心的解决方案中,具体时间待定。
232层NAND技术标志着美光第六代NAND即将进入大规模,突破性的超高堆叠层数和CuA技术使每颗芯片仅需极小的尺寸就可存储高达1Tb的容量,这意味着232层NAND的比特密度比上一代176层NAND高出45%以上.
1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品——GD25UF系列,在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平,在针对智能可穿戴设备、健康监测、物联网设备或其它单电池供电的应用中,能显著降低运行功耗,有效延长设备的续航时间。
HYPERRAM™是一款基于PSRAM的独立易失性存储器,它可提供一种经济实用的添加方式来扩展存储器。其数据速率与SDR DRAM相当,但所用的引脚数更少,功耗更低。
密度的增加也进一步改善了封装规格,全新的11.5mmx13.5mm封装尺寸较前几代小28%。这些突破意味着大容量、高性能的存储产品将能搭载在更多类型的设备上。
HyperBus™接口每个引脚的数据吞吐量更高,从而可以使用引脚数较少的微控制器(MCU)和层数较少的PCB,为目标应用提供复杂性更低以及成本更优化的的设计方案。