每平方毫米晶圆上比特数提高存储密度降低单位存储成本

发布时间:2024/1/4 13:22:10 访问次数:43

176层替换栅极NAND技术，再次证明了这一点。从那时起，我们就将先进NAND技术引入美光存储产品组合中，凭借多种外形规格与接口技术，广泛地应用于移动设备、PC客户端、汽车、智能边缘和数据中心等不同市场，充分展示了美光卓越的运营能力。

在完善和扩大176层NAND技术应用的同时，在努力开发下一代更先进的NAND技术。

232层NAND基于经过验证的CMOS阵列下(CuA)架构，该架构为容量增长、密度增加、性能提升和成本降低提供了一个向上扩展的方法。通过增加NAND数据单元阵列堆叠层数，能够增加每平方毫米晶圆上的比特数，进而提高存储密度，降低单位存储成本。

第一代支持HyperBus™接口的HYPERRAM™器件。

第二代HYPERRAM™器件，同时支持OctalxSPI和HyperBus™JEDEC兼容接口，最高数据速率可达到400MBps。

第三代HYPERRAM™器件支持新的扩展HyperBus™接口，实现了800 MBps的数据速率。

HYPERRAM™器件的密度范围为64Mb至512Mb，经AEC-Q100认证并可支持最高125℃工业和汽车温度等级。

从系统设计层面来看，一些先进工艺器件的工作电压已低至1.2V，如果所需的Flash可支持1.2V的电压操作，这对于主控而言，将能够有效简化电源设计并优化系统成本。

GD25UF产品系列工作电压可扩展至1.14~1.6V，具有单通道、双通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式，支持不同容量选择，能够满足智能设备所需的代码存储要求。

在读写性能方面，GD25UF最高时钟频率STR 120MHz，DTR 60MHz，拥有10万次的擦写寿命，数据有效保存期限可达20年。