选择芯片。在评定晶圆时,对确定晶圆接收与否的单个晶圆或为确定晶圆批接收与否而选定的一个或单(应为多)个晶圆,承制方可按具体情况自行决定选用以下抽样条件中任何一个。

   ①象限抽样。在将晶G6K-2G-Y-TR-DC5圆划成芯片后(如划片和扳片、割锯、腐蚀),且在晶圆上各个芯片的相对位置还可辨认时,选取四个芯片。这些芯片位于晶圆上与晶圆中心距离为2闸半径的位置并相互近似相距⒇°。然后用合适的腐蚀液去掉芯片上玻璃钝化层,再进行SEM检查。

    ②玻璃钝化前的弓形抽样。只有当以后的晶圆制造工艺温度低于450℃(”3K),且互连金属条的宽度不小于3um时,才能用本取样方式。如果向鉴定机构提供的相关性数据表明,本程序与采甩常规腐蚀的程序之间没有区别,并己得到鉴定机构的批准,本取样方法也可用于较高温度或较细线宽的情况。在金属化和腐蚀后,而在玻璃钝化前,从待检查的每个晶圆上相对的两边切下两个弓形。组成弓形的弦边应位于沿着半径方向距晶圆边缘1闸半径的位置。然后在每个弓形的弦边上距两端约1,5cm处各取一个芯片(共有4个芯片)进行SEM检查。

    ③玻璃钝化后的弓形抽样。在完成所用工艺步骤后,在划片前,从每个晶圆上相对两边各切下一个弓形。组成弓形的“弦”应位于沿着半径方向距晶圆边缘约1闸半径的位置。然后采用合适的腐蚀液去掉钝化层,在每个弓形的弦边上距两端约1,5cm处各取一个芯片(共4个芯片)作SEM检查。

   ④玻璃钝化前的晶圆抽样。只有当以后的晶圆制造工艺温度低于450℃(”3K),且互连金属条的宽度不小于3um时,才能用本取样方式。如果向鉴定机构提供的相关性数据表明,本程序与采用常规腐蚀的程序之间没有区别,并己得到鉴定机构的批准,本取样方法也可用于较高温度或较细线宽的情况。在完成了金属化、腐蚀工艺和样片准各操作后将整个晶圆置于SEM设备中,对晶圆上距晶圆中心约刃3半径处,且相互间近似相隔⒇°的4个芯片进行检查。受检查的晶圆上的芯片或与其相邻的芯片不得作为正规产品发货,除非业已表明所进行的检查是非破坏性的。

    ⑤玻璃钝化后的晶圆抽样。本抽样方式是破坏性的。对完成芯片工艺的晶圆做样品准备后将晶圆置于SEM设备中。对晶圆上与晶圆中心相距约刃3半径且相互之间近似相隔⒇°的4个芯片进行检查。