AA2214VR4D1S-C1

   N/N+外延和P+阱的剖面结构。在重掺杂硅衬底上外延3～7肛m厚的同型轻掺杂硅，减少了寄生电阻Rs、Rw和NPN管的电流放大系数，可使闩锁效应降低到最低程度。尽可能多开电源孔和接地孔，以增加周界，减小接触电阻。电源孑L应放在P-MOS和P阱间，减小P阱面积，以便减少辐照所引起的光电流。遵守使用规程，确保使用可靠性发生闩锁不仅与电路抗闩锁能力有关，还与使用恰当与否有关。如加电次序，不应带电操作等。

   通常物体上所带正、负电荷相等而呈电中性，因某种原因使物体上电荷发生转移时，物体即变成带电体。所带电荷被绝缘体隔离起来不能与异性电荷相中和称为静电。静电产生的方法很多。最普通即两种物体相互摩擦（多次的紧密接触和分离过程）而带电；导体或电介质在静电场产生静电感应而带电，固体、流体及气体物质在相对运动、摩擦、挤压、研磨等过程中也可带电。人在活动过程中，衣服、鞋以及所戴用具均可因摩擦或解除一分离

过裎而产生静电。如穿塑料鞋在化纤地毯上行走时，人体静电电压可达近万伏（与当时空气的相对湿度有关）。静电电压U是由带电体所带电荷量Q与其对地电容cco=cu)而决定的。一般电荷量较小，但对地电容也很小，所以静电电位可以很高。静电的特征是电压高及电荷量小。

    微电子器件在加工生产、组装、储存及运输过程中，可能与带静电的容器、测试设备 及操作人员相接触，所带静电经过器件引线放电到地，使器件受到损伤或失效，这就叫静 电放电电损伤( ESD)。它对各类器件都有损伤，而MOS器件特别敏感。