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同样功耗下使用低压大电流比高压小电流要安全得多

发布时间:2019/4/20 19:46:55 访问次数:4139

   AA2214SURSK-AMT

  

   S与偏压U。成正比,同样功耗下使用低压大电流比高压小电流要安全得多。分析上式的分母可知,当发射极等效的串联电阻(冬。+恚)比发射结动态电阻.s与(RE+急)成反比,这就是RB. RE的电流负反馈效应,所以RE. RB分别称为发射极、基极镇流电阻,正确设计(RE+急)值对提高功率管可靠性是很重要的。由上式分子中的第二项可见,AE。越大,则S越大,所以重掺杂引起发射区禁带变窄效应,削弱了R。和R。的镇流作用。这就是LEC(低发射区浓度)结构、多晶发射区结构以及新的异质结NPN(GaAIAs-GaAs)结构的双极型晶体管热稳定性好的原因。

   二次击穿(SB)现象不仅在双极功率管中存在,而且在点接触二极管、CMOS集成电路中也存在。当器件被偏置在某一特殊工作点(平面上USB、ISB处)时,电压突然降落,电流突然上升,出现负阻的物理现象叫丘二次击穿。这时若无限流或其他保护措施,器件将烧毁。双极功率晶体管的二次击穿情况。

   二次击穿与雪崩击穿(一次击穿)不同,雪崩击穿是电击穿一旦反偏压下降,器件(若击穿是在限流控制下)又可恢复正常,它是可逆非破坏性的。二次击穿是破坏性的热击穿,并且为不可逆过程,有过量电流流过PN结,温度很高,使PN结烧毁。  肖特基势垒二极管的正向压降Uf及正向电流密度变化率碧比硅二极管小,故其热 稳定性相对较好。

   可得热稳定临界曲线,临界曲线以内为热稳定区。所以功率器件热电是互为 反馈的,任意子器件上的电流增量必然会导致结温增加,进而引起电流高度集中,出现热 斑。热斑处温度迅速增加,经毫微秒至毫秒的延迟时间迅速趋于“热奔”,直至器件烧毁。 与此相反,有时热斑处温度怛定,器件可暂时在这种状态工作一段时间,称此为稳定热 斑。其原因是热斑处电流高度集中,出现了一系列高电流密度效应,例如,基区扩展效应和电流集边效应,这些效应的综合结果使S有下降趋势,S≤1即为稳定热斑区。


   AA2214SURSK-AMT

  

   S与偏压U。成正比,同样功耗下使用低压大电流比高压小电流要安全得多。分析上式的分母可知,当发射极等效的串联电阻(冬。+恚)比发射结动态电阻.s与(RE+急)成反比,这就是RB. RE的电流负反馈效应,所以RE. RB分别称为发射极、基极镇流电阻,正确设计(RE+急)值对提高功率管可靠性是很重要的。由上式分子中的第二项可见,AE。越大,则S越大,所以重掺杂引起发射区禁带变窄效应,削弱了R。和R。的镇流作用。这就是LEC(低发射区浓度)结构、多晶发射区结构以及新的异质结NPN(GaAIAs-GaAs)结构的双极型晶体管热稳定性好的原因。

   二次击穿(SB)现象不仅在双极功率管中存在,而且在点接触二极管、CMOS集成电路中也存在。当器件被偏置在某一特殊工作点(平面上USB、ISB处)时,电压突然降落,电流突然上升,出现负阻的物理现象叫丘二次击穿。这时若无限流或其他保护措施,器件将烧毁。双极功率晶体管的二次击穿情况。

   二次击穿与雪崩击穿(一次击穿)不同,雪崩击穿是电击穿一旦反偏压下降,器件(若击穿是在限流控制下)又可恢复正常,它是可逆非破坏性的。二次击穿是破坏性的热击穿,并且为不可逆过程,有过量电流流过PN结,温度很高,使PN结烧毁。  肖特基势垒二极管的正向压降Uf及正向电流密度变化率碧比硅二极管小,故其热 稳定性相对较好。

   可得热稳定临界曲线,临界曲线以内为热稳定区。所以功率器件热电是互为 反馈的,任意子器件上的电流增量必然会导致结温增加,进而引起电流高度集中,出现热 斑。热斑处温度迅速增加,经毫微秒至毫秒的延迟时间迅速趋于“热奔”,直至器件烧毁。 与此相反,有时热斑处温度怛定,器件可暂时在这种状态工作一段时间,称此为稳定热 斑。其原因是热斑处电流高度集中,出现了一系列高电流密度效应,例如,基区扩展效应和电流集边效应,这些效应的综合结果使S有下降趋势,S≤1即为稳定热斑区。


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