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   由于如PSG、Al2 03或Si。N14等介质膜能抑制表面扩散、压强效应和热沉效应的综合影响，延长铝条的中位寿命。

    当铝条宽度缩减到3肚m以下时，经过温度循环或高温处理，也会发生铝条开路断裂的 失效。这时空洞多发生在晶粒边界处，这种开路失效叫应力迁移，与通电后铝条产生电迁 移的失效相区别。铝条越细，应力迁移失效越严重。

   铝条经过热循环或脉冲功率老化后，表面变得十分粗糙甚至发黑，在扫描电镜下可看到铝表面出现许多小丘、晶须或皱纹等，这就是铝表面的再构。再构现象会导致铝膜电阻增大或器件内部出现瞬间短路，也可引起某些地方电流密度增大，从而加速电迁移的发生。

   当老化温度增加时，应力失效速度增加，其激活 能约为0. 35～0. 6eV，温度超过300℃时，失效率又会下降。失效速度与铝条尺寸的关系 密切，应力迁移的寿命正比于线宽的2～3次方和厚度的4～5次方。所以电路集成度提高 时应力迁移将变得严重。硅一铝合金条中含有氮及硅的析出可促进空洞的形成，硅一铝中加 0.1%的铜或铝条上覆以W、TiN及TiW等耐熔材料可减缓空洞的形成，但难熔材料的电 阻率较高，抗电迁移能力也较差。在尺寸继续缩小时也会引起问题，根本问题在于把铝条 中应力降低至一个安全水平，这可通过改进钝化层的淀积过程或用单晶铝制作互连线实 现，这样既可解决应力迁移及电迁移的问题又可保证高的导电性。

   铝的再构是由其承受的热应力引起的，铝层厚度约llum，比其衬底硅片(200ljLm)要薄得多，而铝的线热膨胀系数(23.6 X 10-6/℃)比硅（3.3×10-6/℃）和二氧化硅(0.5×10-6／℃)的都大，因此器件在高温时，铝膜将受到压应力，而冷却时又受到张应力。在热循环过程中，这种热应力变化使铝表面产生小丘、晶须、空洞或皱纹。因此热循环的温度差越大，铝膜所受的应力也越大，再构现象也越严重。在铝中掺铜，增大铝条晶粒尺寸以及覆盖Si02等介质膜，可使铝的再构现象减少甚至避免，提高器件抗热循环能力。应力迁移的原因，早期认为是铝中含氧使之易碎，或材料的类似蠕变现象所致。目前一般认为是铝条较窄，其晶粒直径玎能与条宽相比拟，其上、下两侧受介质膜( Si02、Si。Ni。)的影响而存在拉伸（或压缩）应力。在温度作用下，为缓和这种应力，铝原子可发生错位、滑动等移动，致使某些位置产生空洞，直至断条。当铝条上不覆盖钝化层或覆以性能柔软的涂层（如有机树脂）时，未发现铝条有这种应力失效，所以应力的形成主要来源于铝条的上、下两侧各介质膜层的热失配。