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通过分析波阻抗和能量密度,可知电偶极子在近场的波阻抗为高阻抗

发布时间:2019/2/6 20:11:10 访问次数:1290

   通过分析波阻抗和能量密度,可知电偶极子在近场的波阻抗为高阻抗(大于⒓0π),能量主要为电场分量,KDZTR8.2B可忽略磁场分量;磁偶极子在近场的波阻抗为低阻抗(小于120π),能量主要为磁场分量,可忽略电场分量。电偶极子和磁偶极子在远场的波阻抗相等(均为120π),此时电场和磁场分量相等。这就是说两类干扰源在近场的差别较大,因此可根据其波阻抗和能量性质,将上述两类干扰源分别称为高阻抗电场源和低阻抗磁场源。

   注意,上述近场和远场的条件(即λ的大小)是与频率/有关的。所以又可以说,在较低的频率范围内,干扰一般发生在近场。高阻抗电场源的近场主要为电场分量,雨低阻抗磁场源的近场主要为磁场分量。当频率增高时,干扰趋于远场,此时电场和磁场分量均不可忽略。对应于三种情况的屏蔽分别称为电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽。静电屏蔽和恒定磁场的屏蔽分别是电场屏蔽和磁场屏蔽的特例。

   屏蔽的有效性采用屏蔽效能(简称屏效)来进行度量,定义为屏蔽前后空间某点的场强之比。对于电路而言,屏效可用屏蔽前后电路某点上的功率、电流和电压之比来定义,也可以利用由外界耦合到某个关键元器件上的干扰与器件所产生的噪声之比来定义。屏效可用分贝(dB)或奈比(N叩)来计量,dB与Nep之间的换算关系:

  EMC设计的定量化比定性化具有更多优点,是EMC设计的质变阶段。它通过在各个频段内对各种干扰源、干扰路径及敏感设备建立一个数学、物理模型;对各种典型元器件及组件进行大量试验,建立必要的数据库,在设计的初始阶段就将EMC作为控制指标,通过对电路、元器件、结构及工艺等因素的定量控制,来达到提高设备的EMC`l±能的目的。屏蔽是抑制辐射干扰最有效的手段,屏蔽的定量设计也是EMC定量设计的一项重要内容。屏蔽的定量设计必须解决两个问题:所需屏效的确定和屏蔽性能预测。屏效的确定取决于电磁环境、安装位置、电路形式、器件类型以及EMC标准规范的限额值等因素。

   例如,某产品在100MHz频率点辐射骚扰场强在没有施加屏蔽前超过标准允许限值zdB,为了保证设计的产品在批量生产时有满意的合格率,通常辐射骚扰设计时应有至少6dB裕量。因此,该产品设计屏蔽时,在100MHz处至少应该有30dB的屏效。


   通过分析波阻抗和能量密度,可知电偶极子在近场的波阻抗为高阻抗(大于⒓0π),能量主要为电场分量,KDZTR8.2B可忽略磁场分量;磁偶极子在近场的波阻抗为低阻抗(小于120π),能量主要为磁场分量,可忽略电场分量。电偶极子和磁偶极子在远场的波阻抗相等(均为120π),此时电场和磁场分量相等。这就是说两类干扰源在近场的差别较大,因此可根据其波阻抗和能量性质,将上述两类干扰源分别称为高阻抗电场源和低阻抗磁场源。

   注意,上述近场和远场的条件(即λ的大小)是与频率/有关的。所以又可以说,在较低的频率范围内,干扰一般发生在近场。高阻抗电场源的近场主要为电场分量,雨低阻抗磁场源的近场主要为磁场分量。当频率增高时,干扰趋于远场,此时电场和磁场分量均不可忽略。对应于三种情况的屏蔽分别称为电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽。静电屏蔽和恒定磁场的屏蔽分别是电场屏蔽和磁场屏蔽的特例。

   屏蔽的有效性采用屏蔽效能(简称屏效)来进行度量,定义为屏蔽前后空间某点的场强之比。对于电路而言,屏效可用屏蔽前后电路某点上的功率、电流和电压之比来定义,也可以利用由外界耦合到某个关键元器件上的干扰与器件所产生的噪声之比来定义。屏效可用分贝(dB)或奈比(N叩)来计量,dB与Nep之间的换算关系:

  EMC设计的定量化比定性化具有更多优点,是EMC设计的质变阶段。它通过在各个频段内对各种干扰源、干扰路径及敏感设备建立一个数学、物理模型;对各种典型元器件及组件进行大量试验,建立必要的数据库,在设计的初始阶段就将EMC作为控制指标,通过对电路、元器件、结构及工艺等因素的定量控制,来达到提高设备的EMC`l±能的目的。屏蔽是抑制辐射干扰最有效的手段,屏蔽的定量设计也是EMC定量设计的一项重要内容。屏蔽的定量设计必须解决两个问题:所需屏效的确定和屏蔽性能预测。屏效的确定取决于电磁环境、安装位置、电路形式、器件类型以及EMC标准规范的限额值等因素。

   例如,某产品在100MHz频率点辐射骚扰场强在没有施加屏蔽前超过标准允许限值zdB,为了保证设计的产品在批量生产时有满意的合格率,通常辐射骚扰设计时应有至少6dB裕量。因此,该产品设计屏蔽时,在100MHz处至少应该有30dB的屏效。


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