氧化硅膜随着稀HF的溶解,颗粒和离子污染一并去除,这时的硅表面非常洁净,只有A278308L-12键,ml且表面是疏水性。这样的表面有很强的活性和不稳定性,易吸附污染(颗粒、金属)和被氧化。囚此,对于H,last的表面处理,首先要快速进人下一道制程,控制两道制程间的时间(Q time);或者把晶片盒存放在氮气柜里或超净环境加以保护。

   有机物、金属、颗粒的去除(SC1):这一步是在(1)或(1)+(2)的基础上使用,或单独使用,以去除少量吸附的有机物,络合一、二、八副族金属(如Cu,Ag,Au,Cd,Co,Ni等),SCl可氧化晶片表面的硅,生成一层化学氧化膜,同时叉可溶解氧化硅膜,一些颗粒的去除就是基于这种机理。值得注意的是SC1,使用一段时间后,H202一部分消耗,一部分

分解,溶液中H202浓度会显著降低,而高浓度的氨,可快速溶解硅,造成晶片表面粗糙不平整,所以使用中需要定时补加H202和NH】OH。

   较早公开使用的SC1浓度一般较高,NH4OH:H202:H2O比例为1:1:5,温度70℃左右。经过逐步开发和完善,浓度和温度都朝更低的方向发展,在不改变去除能力的前提下,质量得到F保证,耗费也大大降低。现今普遍使用的浓度为NHlΘH:H203:HJO比例为1:2:50或1:2:100,温度35℃至室温。

   残留原子、离子污染物的去除(SC2):SC1可去除一些重金属和贵金属,但另一些不溶于碱性溶液的金属(如Al、Fe、Ca等),就该用酸性的SC2溶解去除。和SC1一样,起初浓度和温度较高;现今使用浓度为HCl:H202:H20比例为1叫:50或1:1:100及其他,温度35℃至室温。

   据报道,还有一种被叫做“IMEGClean”的清洗方法,可替代RCA。它是把高浓度的臭氧注入DI水中,形成03水,然后结合其他的化学品,组合成一个清洗污染物的方法。例如,03溶人H2⒏)l可替代SPM,去除有机物。接着用优化稀释的HF/HCl去除第一步的化学氧化膜。最后03水氧化去除轻的有机物、金属和颗粒;这一步也有报道达到同样的效果;(),氧化有机物的同时,也氧化品片硅,形成薄层氧化膜保护硅.