在特征尺寸从5um急剧地缩小至45nm的过程中,需要使用更低气压的各向异性等离子刻蚀,HA13721RP以确保更小尺寸图形转移的精确度。因此,干法刻蚀机从早期的圆筒形/平行板型(各向同性/高气压)转变为~9O世纪90年代早期的RIE/CCP和HDP。另外,当晶圆尺寸从4in逐渐地增加到12in时,也就提出了在整个晶圆上控制等离子均匀性的挑战。而且节约成本的指标之   产能,强烈地需要更高的刻蚀速率,这就高度依赖于产生高密度等离子。一些高密度等离子源,如电感等离子和顶部耦合等离子,正是在这些需求下产生并应用到IC制造业中的。在最新型反应器发展中,主要的努力包括利用可调圈数/间隙、多lx静电平行板型的刻蚀机可以是顶部或者是底部电容耦合的,顶部功率反应器称作平行板,它可以导致刻蚀具有方向性,但还不是完全意义L的各向异性刻蚀。这类反应器也经历过从批量刻蚀(德州仪器,1972年)到单片刻蚀(Tegal公司,1979年)的发展过程。底部功率反应器被定义为反应离子刻蚀中品圆与RF功率相连接,而不是接地电位的平行板。从统计上讲,电子撞击晶圆表面的次数要多于正离子。由于其具有很高的反应特性,电子更易于被晶圆表面吸收。与此同时,失去电子的等离子形成了总体上的正电荷,这就加速了离子向晶圆方向的运动,导致各向异性刻蚀的趋势。但是,高能离子的轰击可能会引起器件损伤。

   ME(磁增强)RIE利用外加磁场限制等离子。在这种反应器中,等离子由RF电场激发出来,外加的磁场使其密度加大,磁场的方向与电场方向垂直。外加磁场的目的是为了实现更高的电离率,来增强RIE。

   在CCP反应器中,RF功率通过RF电场直接传给等离子。而在ICP反应器中,RF功率是通过RF磁场将功率传递给等离子。这个RF磁场导致F一个电离的电场,电感耦合在等离子产生方面效率更高,囚为它不用把能量花费在通过施加到品圆表面的高压来加速离子。在TCP刻蚀机中,离子的密度与离子能量已经分离开,可以分别控制。一个感应源被用来产生等离子和控制等离子密度,同时,用电容偏置品圆来调控离子的能量。这类设备是由I'am research公司1992年第一个实现商业化的。