从上面几节中,我们可以看到应力效应不仅可以用来提高NMOS器件性能,而且也KDZTR8.2B可以用来提高PMOS器件性能。除此之外,还有许多报道使用应力效应提升技术来更进一步地提高器件性能的方法。本节将介绍应力效应提升技术中的两个:一个是通过去除虚拟栅电极的方法来提高嵌人式锗化硅所产生的压应力;另一个方法是通过部分去除侧墙以使得双极应力刻蚀阻挡层薄膜更加接近沟道,从而提高应力效果。

   在一个具有嵌入式锗化硅的PMOS器件中,如果它的栅电极采用大马士革结构方式制造的话,通过去除该虚拟栅电极的方法,沟道中的压应力可以得到显著提高[州。去除该虚拟栅电极后,它释放了原来从栅极带来的排斥力,从而使得嵌人式锗化硅增强了横向作用于沟道的压应力。这个应力效果提升技术可以获得更高的沟道应变和空穴迁移率,它的作用机理可以参考。

   通过去除虚拟栅电极的方法来提高沟道中压应力的示意图 在去除虚拟栅电极后,可以在栅电极处的凹槽部位填充多晶硅[3:]或金属栅L39〗。不管其中的任何一个方法,去除虚拟栅电极后所提高的应力都在最后的器件中保留了下来。通过把大马士革多晶硅栅结构的形成与嵌人式锗化硅相结合的办法,可以获得如文献E38]中所提到的好处。当使用嵌人式锗化硅时,可以提高大马士革结构的驱动电流。而没有使用嵌入式锗化硅的情况下,就没有办法提高驱动电流了。在高介电常数栅和金属电极的整合结构中,有两个互相竞争的方法:金属栅极置前和金属栅极置后。在栅极置后工艺中,包含了虚拟栅的去除。当我们把它和嵌入式锗化硅工艺相结合,PMOS器件的性能在栅极置后的整合流程中,可以获得一个主要的优势就是:可以提高大马士革多晶硅栅结构形成后带来的应力效果。当我们决定栅极置前和栅极置后哪种工艺用来整合进人高介电常数栅和金属电极的工艺流程中,这是一个主要的考虑因素。下面是一个把嵌人式锗化硅工艺和金属栅极置后工艺相结合的整合流程的简单例子。