用半导体放电管做保护电路时并联电容对浪涌测试结果的影响

   【现象描述】G7922R61U

   某型工业控制机在进行串行接口的工作地与机壳之间的共模浪涌测试时(电压波形为10/70Ou,电流波形为S/320,测试内阻为翎Ω,测试电压为1kⅤ,电流为⒛A),发现信号地与保护大地之间的浪涌保护器件TSS(半导体放电管,型号BS8OO0N-C-F)出现了 短路损坏,从而导致整机浪涌测试不能通过。

   对比浪涌的测试等级与保护器件通流能力规格参数,保护器件的最大浪涌电压和通流能力分别为6kⅤ和150A(电压波形为10/7OO、电流波形为s/320u、测试内阻为碉Ω),其电压电流参数远远超过测试等级,在常规使用条件下,按理说不应该出现损坏,然而为什么在此工业控制机中出现了异常损坏呢?图4.118所示的是现有方案的等效电路图,图中电路为被测产品串行接口工作地(图4,118中的AGND)与机壳(图4.118中的EGND)之间的保护电路。