还有，PCA9504ADGG挑战来自金属的硬度（硬度不同，其抛光速率不同）和较软聚合物材料的层间介质( IDL)。尽管仍然存在各种挑战，晶圆表面的平整度不得不控制在150 nm以下。

   1998年4月,So//d State Technology,Copyright 1998 bv PennWell Publishing Company)

    化学机械抛光后的清洁

   本书自始至终都在强调晶圆表面清洁的重要性。化学机械抛光后的清洁恰恰体现丁这一重要性。清洁面临一些特殊的挑战。化学机械抛光是唯一有意在工艺过程中引人称为磨粉的微粒。它们一般可以用机械刷拂去或用高压水注冲去。化学清洁一般采用与其他FEOL清洗相同的技术。

   精心挑选磨料浆的表面活性剂，调节pH值可以在磨料浆微粒和晶圆表面之间产生电的排斥作用。这一技术可以降低污染，特别是静电吸附晶圆表面的污染物。

   铜污染要特别留意，因为一旦铜进入硅中，会改变或降低电路元件的电性能。铜残留应减少到4×l013原子／C ffl2范围i32]。