当非密封的陶瓷电容器在潮热负荷或高湿度环境下工作时，击穿失效是一个突出的严重问题。陶瓷电容器的击穿失效可能是介质击穿，也可能是边缘飞弧击穿两种类型。 HZICSTM32105RC0G

   介质击穿又可分为早期击穿和后期击穿。早期击穿主要是由于材料、工艺方面的缺陷引起的。如介质不纯、掺有杂质、气泡、开口裂缝等缺陷使介质的介电强度大大降低。在潮湿和电场的作用下，在试验或工作的初期就发生电击穿，导致介质出现小孔或小黑点。后期击穿主要是材料老化导致的电解老化击穿。因为在高湿环境和电场的长期作用下，银由于局部发热厉害而导致电容器烧毁。

   边缘飞弧击穿主要是在高温条件下，由于银离子迁移的结果使得电容器极间边缘电场发生严重的畸变，如元件表面凝聚有水膜，使得电容器的表面放电电压显著下降’从而产生极间的辉光放电，导致电容器飞弧击穿。微调瓷介电容器和穿心式瓷介电容器常出现这种击穿失效。这与其结构、形状、极间距离有密切关系。由于飞弧击穿是银离子迁移的结果，其产生和发展需要一般较长的时间，因此，边缘飞弧击穿一般在使用或CB14.