门极关断晶闸管(GTo)门极关断晶间管(以P型门极为例)也是由PNPN四层半导体材料构成的三端半导体器件,其结构及电路符号如图2.6.17所示。PIC16F873A-I/SO

   门极晶闸管与普通晶间管既有相同之处又有不同之处。相同之处在于,当阳一阴极之间加正向电 压且门极加适当正向触发电压时,晶闸管将变为导通状态;不同之处在于,门极晶闸管处于导通态

时,改变G极的电压极性,即在G极加上适当的负电压,就能使导通的晶间管关断。

   双向晶闸管σRIAC):双向晶间管的结构、等效电路及电路符号如图26,18所示。图中,Tl称为第一电极,△称为第二电极,G称为门极,Tl,T2也称为主电极。双向晶闸管可以双向导通,即门极加上正或负的触发电压,均能触发双向晶间管正、反两个方向导通。因此,对双向晶闸管来说,无所谓阴极和阳极,它的任何一个主电极,对反向并联的其中一个晶闸管是阳极,对另一个晶闸管就是阴极,反过来也是一样。双向晶闸管的主电极T1与主电极△间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要门极G和主电极T1(或△)间加有正负极性不同的触发电压,满足其必需的触发电流,晶闸管即可触发导通呈低阻状态,此时主电极T1,△间的压降约为1V。双向晶闸管一旦导通,即使失去触发电压,也能继续维持导通状态。当主电极T1,△电流小于维持电流或T1,△间电压改变极性,且无触发电压时,双向晶闸管阻断,只有重新施加触发电压,才能再次导通。