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MCT的主要参数

发布时间:2018/1/3 21:30:37 访问次数:773

   (1)断态重复峰值电压%RM:是MCT的阳极和阴极之间的最大允许电压。 DA28F160F3-120

 (2)反向重复峰值电压岷…:是MCT的阴极和阳极之间的最大允许电压。

(3)阴极连续电流JIc:在某一结温下,器件允许连续通过的电流。

 (4)峰值可控电流rTc:当MCT通过门极信号换向时,额定关断的最大阴极电流。

    静电感应晶体管

   静电感应晶体管(Static IndL】ction Transistor,sID是一种电压型控制器件,具有工作频率高、输入阻抗高、输出功率大、放大线性度好、无二次击穿现象、热稳定性好等优点,广泛应用于超声波功率放大、雷达通信、开关电源和高频感应加热等方面。SIT的单管耗散功率己做到数千瓦,工作频率已做到10MHz,电压电流容量己达2000V/300A水平。

   (1)断态重复峰值电压%RM:是MCT的阳极和阴极之间的最大允许电压。 DA28F160F3-120

 (2)反向重复峰值电压岷…:是MCT的阴极和阳极之间的最大允许电压。

(3)阴极连续电流JIc:在某一结温下,器件允许连续通过的电流。

 (4)峰值可控电流rTc:当MCT通过门极信号换向时,额定关断的最大阴极电流。

    静电感应晶体管

   静电感应晶体管(Static IndL】ction Transistor,sID是一种电压型控制器件,具有工作频率高、输入阻抗高、输出功率大、放大线性度好、无二次击穿现象、热稳定性好等优点,广泛应用于超声波功率放大、雷达通信、开关电源和高频感应加热等方面。SIT的单管耗散功率己做到数千瓦,工作频率已做到10MHz,电压电流容量己达2000V/300A水平。

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