依照可靠性的浴缸曲线,芯片在OB2202CPA使用早期会有较高的失效比率,即早夭期。老化用来筛选出使用寿命短的芯片,使失效率降低。老化在高温125℃,1.2~1.4倍⒕u高电压下进行,依照产品的可靠性水平,老化的时间在数小时到数十小时。老化的操作模式有静态老化(StaticBurn in,sBI),动态老化(Dynamic Burl△in,DBI),老化加测试(飞st DuⅡlag Burn in,TDBI),圆片老化(Wafer1'evd Burll in,WI'B1)。其中,静态老化只加人V汨电源和高温,不输入信号驱动芯片。动态老化加人V汨电源和高温,并输人信号驱动丿S片做读和写动作。但不控制输入的地址,读出的数据并不做好坏判断。老化加测试(TI,BI),由于老化的操作时间长,所以TDBI将部分长时序的测试图形转移到老化的环节执行.可以降低昂贵的测试机台时间,TDBI是一种动态老化的操作模式,1′I9BI的机台需要加人图形产生器和数据比较器,机台岜较为复杂,昂贵,但是省下的测试机台时间还是有较好的经济效益的。圆片老化(WI'BI),一般的老化操作是在封装好的芯片L进行,现在先进的老化可以在圆片时执行,储存器在圆片时执行老化需要有特别的可测性设计,称为老化模式(burll in Mode),启动储存器的老化模式之后,全部的储存单元都会同时被拉高电压,圆片老化只需要在进入老化模式的时候输入信号,基本上这是一种静态老化操作。圆片老化是在圆片测试之前或内建在测试程序之中。假若圆片老化产生的失效单元是在冗余修复范围内,那么良率就可以提升,这是它的优点之一。但是圆片老化并不能取代封装后老化。