从20世纪90年代以来,集成电路技术得到了快速发展。集成电路的特征尺寸不断缩小, U05G4B48-TE12L集成度和性能不断提高。为了减小成本.提高性能,集成电路技术中引人大量新材料、新丁艺和新的器件结构。这JLL发展给集成电路可靠性保证和提高带来FF・大挑战。随着集成电路特征尺寸的缩小,⒈艺中使用的一些关键材料已接近物理极限。其失效模型发生了改变,这对测试方法以及寿命评估都带来了严峻挑战。同时.一部分失效机理的可靠性问题变得非常严重。例如,NBTI报道于1966年。对较大尺寸的半导体器件来说,其对性能影响并不大。然而,随着器件尺寸的减小,加在栅极氧化层上的电场越来越高,器件的T作温度也相应提高,器件对I作阈值电压越来越敏感,NJΓI已成为影响集成电路可靠性的关键问题。

   新材料和新T艺的引人导致了一些新的可靠性问题。例如,为了减小金属互连对器件速度的延迟,低虑介质和超低乃介质被引入到金属互连制程巾。由于其机械、电学和热学性能远远低于传统的二氧化硅材料,其Vbd和TDDB寿命以及由低虑材料和高密度倒品封装

引起的新的失效机理CPl(Chip Package Intcrac1ion)已成集成电路。r靠性的制约冈素。集成电路尺寸的缩小和集成度的提高对百T靠性的测试带来了挑战。集成电路尺寸缩小导致对EsD变得更加敏感。封装测试中的E⒏)问题会严重影响可靠性评估成功率和准确性。集成度的提高也使一些常规可靠性评估囚时闸变长变得非常困难。如4G「lash记忆体的传统100K耐久性测试会超过2千小时,严重影响新制程可靠性评估的及时完成。