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聚焦离子束(RIE)

发布时间:2017/11/15 20:33:49 访问次数:539

   聚焦离子束(RIE),特别是现代IC失效分析实验审必备的双束FIB,因其具有定点切割和同步扫描电镜观察,金属、介质沉积功能和增强刻蚀功能,TLC1543CN广泛用于透射电镜样品制备,在线缺陷观察,线路修补和光刻修补,反应离子刻蚀机(ItIE)用T去钝化层和l介质层以实现多法金属化布线结构j小片的可观察性和。测性。

   反应离子刻蚀技术是等离子体刻蚀技术和溅射划蚀技术昀合喊・同时具有材料的选择性和方向性。反应离子刻蚀是在一定反「/腔室巾进衍的.I艾丨i∶离子刻浊的反RⅠ室r作压强较小约1Ombar,用于增加等离子体的平均白由程和加强刻蚀的方向性:当腔室压力达到设定压力时,向反应腔室注反应气体.有足够的射频功率(RIE的射频频率为13.56MHz.用以产生强大的电场)作用在上下电极之间・反应腔室形成等离子体。等离子体包括了白由基、带电离子和电子。由于电场力的作用,在腔室的下电极和上电极之间形成了负电势差,这时白由基打到样品表面就产生腐蚀过程,而带电离子打到样品表面就产rL轰击作用,这样就大大加快了刻蚀的速率。

   聚焦离子束(RIE),特别是现代IC失效分析实验审必备的双束FIB,因其具有定点切割和同步扫描电镜观察,金属、介质沉积功能和增强刻蚀功能,TLC1543CN广泛用于透射电镜样品制备,在线缺陷观察,线路修补和光刻修补,反应离子刻蚀机(ItIE)用T去钝化层和l介质层以实现多法金属化布线结构j小片的可观察性和。测性。

   反应离子刻蚀技术是等离子体刻蚀技术和溅射划蚀技术昀合喊・同时具有材料的选择性和方向性。反应离子刻蚀是在一定反「/腔室巾进衍的.I艾丨i∶离子刻浊的反RⅠ室r作压强较小约1Ombar,用于增加等离子体的平均白由程和加强刻蚀的方向性:当腔室压力达到设定压力时,向反应腔室注反应气体.有足够的射频功率(RIE的射频频率为13.56MHz.用以产生强大的电场)作用在上下电极之间・反应腔室形成等离子体。等离子体包括了白由基、带电离子和电子。由于电场力的作用,在腔室的下电极和上电极之间形成了负电势差,这时白由基打到样品表面就产生腐蚀过程,而带电离子打到样品表面就产rL轰击作用,这样就大大加快了刻蚀的速率。

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