有选择地进行剥层分析,称为样TJA1055T/3品制备过程。由于半寻体器件封装材料和多层布线结构的不透明性,对大部分失效分析问题,必须采用解剖分析技术.实现芯片表面和内部的可观察性和可探测性。IC失效分析样品制备技术主要包括开封、去钝化层、去层间介质、去金属或多晶硅等。为观察芯片内部缺陷,经常需要采用剖切面技术和染色技术。

   (l)去钝化层技术:主要有化学方法和等离子体刻蚀或反应离子刻蚀去钝化层。化学方法简单,缺点是缺之材料选择性和各向同性腐蚀;反应离子刻蚀法具有一定的材料选择性和各向异性腐蚀,分析实验室多用反应气体为CF+O去除钝化层和层间介质。

   (2)为成功到达失效位置.时常需要去除金属化层,或各种介质层。剖切面技术、研磨和抛光及染色技术等,许多文献中均洎∷洋尽的报道。