主流AlCMP一般采用工步研磨法(见图11.25): QL8X12B-OPF100C

   第一步:采用研磨粒为之氧化二铝(A1()3)的研磨液,去除大部分Al金属层,留下薄而均匀的Al金属层((10OOA)。

   第二步:采用同样的研磨液,用较低的压力去除剩余的薄而均匀的Al金属层。

   第三步:采用同样的研磨液,用较软的研磨垫去除金属阻挡层。

   在二步研磨法中,如何控制Al金属层和介电层(si()2)的表面不平整性以及如何降低研磨中所产生的缺陷,是A1CMP的核Jb部分。Al CMP在研磨中所产生的缺陷主要包括表面划痕、腐蚀及点缺陷(pits),这些缺陷与A1CMP所采用的Al的沉积方式、沉积温度、掺杂浓度、AlCMP制程中所使用的研磨液及研磨垫、研磨液供应系统和管线的清洁程度都有很强的关联性。