有机物、金属、颗粒的去除(SC1):这一步是在(1)或(1)+(2)的基础上使用,或单独使用,以去除少量吸附的有机物,络合一、二、八副族金属(如Cu,Ag,Au,Cd,Co,Ni等),SCl可氧化晶片表面的硅,生成一层化学氧化膜,同时叉可溶解氧化硅膜,S912XDT256F1CAG一些颗粒的去除就是基于这种机理。值得注意的是SC1,使用一段时间后,H202一部分消耗,一部分分解,溶液中H202浓度会显著降低,而高浓度的氨,可快速溶解硅,造成晶片表面粗糙不平整,所以使用中需要定时补加H202和NH】OH。

   较早公开使用的SC1浓度一般较高,NH4OH:H202:H2O比例为1:1:5,温度 70℃左右。经过逐步开发和完善,浓度和温度都朝更低的方向发展,在不改变去除能力的前提下,质量得到F保证,耗费也大大降低。现今普遍使用的浓度为NHlΘH:H203:HJO比例为1:2:50或1:2:100,温度35℃至室温。