为了找出无腐蚀的界限,在最差情况(最高可用的透射率晶圆)下探讨了聚合物气体CH1的影响。CH4流速从基数T增加到3.3T,相应的刻蚀终点和腐蚀缺陷的表现总结在图8.48中。M01050正如所预期的,当CH1的流速达到2.3T时,得到了无腐蚀的结果。然而,当CH1的流速达到3.3T时,腐蚀缺陷再次出现,F组腐蚀缺陷的sEM像显示在图8.47(b)。

   可以明显地看到在侧壁上积累了过多的聚合物,也可以注意到这种腐蚀缺陷是从剥落的聚 合物同铝垫侧壁的界面处生长出来的。这种现象可以归因于铝侧壁上过多的聚合物吸附了氯化物,并吸收了空气中的水分・反过来将铝垫侵蚀。更高的CH4流速对应更长的刻蚀终点时间。这表明从聚合物沉积的观点来说,CH1起着同透射率相类似的作用。也就是说,CH1的增加可以补偿高透射率情况下缺少的聚合物,所以无腐蚀的窗口依赖透射率和CH4流速的结合。在上述试验中,CH1流速T对所有的透射率(7O%的情况己经足够高了,对于透射率为96.2%的情形,CH4流速被优化为2.5T。