这种技术也面临以下问题:O480-VX3WH-LF

   (l)速度潜力依赖于光源的光强和光刻胶的灵敏度,业界公认的标准是对于10耐/cm2感光度的光刻胶,实现100硅片/小时的产能需要在中闸焦点的光强为200W。可是目前报至的最高能量为90W∶ˉ1∶。而时下最快的浸没式光刻机的速度为175片/小日寸,也就是说,就算二重曝光,等效的生产速度也在87片/小时,况且浸没式机器的价钱比起极紫外便宜很多。

   (2)虽然波长短不需要进行克服衍射效应的光学邻近效应修正,但是由于反射镜为了提高反射率需要沉积折射率高低交替的高反射膜。通常为40~50对钼(2.8nm)和硅(4.2nm)的薄膜,加L吸收层大约为150nm,整个结构相对于线宽(22nm节点半周期在35~40nm,在掩膜版卜大约为110~160nm)相当高大,需要对光的散射做细致计算16?1。而且虽然极紫外光刻没有传统意义上的光学邻近效应,但是对于斜人射光,我们需要对其阴影效应进行补偿。再者,由于波长极短,掩膜版上的缺陷很容易散射极紫外光!61。有关掩膜版的缺陷现状和检测方法,日r以参照文献[6矧。又由于波长短,13,5nm的1/4波长为3.38nm。任何多层膜(100层高反膜)~L的厚度变化会相造成空间像的位相移动,对空间像造成损害6i。

   (3)由于斜入射角(6°),使得在离焦时会伴随着横向(微观套刻)移动,如厚度变化、缺陷造成的不平整。