掩膜版是通过透光和不透光来将电路板设计图案表达出来的。不过,由于衍射效应,本UC3800D来不透光的区域,在硅片的像中光强也不等于零。在1982年,莱文森(I'cvcnson)和他的合作者提出使用位相区域来减少本来是不透光的区域的光强「Ⅱ]。相移掩膜版的原理是通过将部分透射光的位相相对其他透射光的移动180°来抵消由于衍射造成的对比度下降效应。当前T业界使用最多的是透射衰减的相移掩膜版(Attcnuated Phase Shifting Mask,AttPSM),它可以显著改善密集线条的工艺窗口。当然,还有交替相移掩膜版(AlternatingPhase Shifting Mask,Alt PSM)(见图7.91),叉叫做莱文森(I'evenson)相移掩膜版、边缘相移掩膜版(rim phase shifting mask)(见图7.92)、无铬相移掩膜版(chr°me less phaseshifting mask)等类型,其原理都是类似的。

　透射衰减的相移掩膜版的相移层一般由硅化钼(MoSi)制成。一般来讲,对于6%左右的透射率有着6%±0.5%左右的控制精度要求。对相移精度有着180±5°的要求。随着工艺技术节点的稳步提高,对于掩膜版的精度会越来越高。下面我们来讨论以下透射衰减相移掩膜版能够为密集线条带来多少好处: