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网格套刻中的4个线性参量及其表现

发布时间:2017/10/28 10:16:24 访问次数:1693

   平台,在X和Y方向的步进是通过X和Y方向上的干涉计来控制的,步进的长度也存在误差;而且,由于扫描,沿着Y方向上的运动不一定垂直于横向方向X。于是,便引入了另外两个参量:非对称放大率(assymetⅡc magni伍cation)和正交(orthogonality)。因为扫描式光刻机的Y方向上的放大率是由掩膜版和硅片的相对扫描速度决定的。正常状态下,掩膜版的扫描速度是硅片的4倍。如果掩膜版的扫描速度快一点,则在硅片平台未完成扫描时掩膜版的扫描已经结束了,那么,图形的Y方向的放大率会变小。而且,如果在扫描时硅片平台存在横向(X)的匀速漂移,那么扫描出来的图形将不再正方,y轴同X轴的来角将不是90°,也就是说,正交性不再存在。那么放大率将被分为X,y:Mx,M⒈旋转量也可被分为X,Y:Rx dY。于是式(729)将可以被写成: 由于式(730)含有6个参量,叉被叫做6参量模型。

   前面讨论了套刻的6个线性参量。其实,在生产控制中将套刻分为网格(gh-)和曝光区(shot)。网格套刻(grid o跎day)是由光刻机硅平台的精确移动来决定的;而曝光区的套刻是由掩膜版本身的控制精度以及镜头放大率和像差控制来决定的。网格套刻的4个参量及其在硅片套刻上的表现如图7.42所示。

      

   平台,在X和Y方向的步进是通过X和Y方向上的干涉计来控制的,步进的长度也存在误差;而且,由于扫描,沿着Y方向上的运动不一定垂直于横向方向X。于是,便引入了另外两个参量:非对称放大率(assymetⅡc magni伍cation)和正交(orthogonality)。因为扫描式光刻机的Y方向上的放大率是由掩膜版和硅片的相对扫描速度决定的。正常状态下,掩膜版的扫描速度是硅片的4倍。如果掩膜版的扫描速度快一点,则在硅片平台未完成扫描时掩膜版的扫描已经结束了,那么,图形的Y方向的放大率会变小。而且,如果在扫描时硅片平台存在横向(X)的匀速漂移,那么扫描出来的图形将不再正方,y轴同X轴的来角将不是90°,也就是说,正交性不再存在。那么放大率将被分为X,y:Mx,M⒈旋转量也可被分为X,Y:Rx dY。于是式(729)将可以被写成: 由于式(730)含有6个参量,叉被叫做6参量模型。

   前面讨论了套刻的6个线性参量。其实,在生产控制中将套刻分为网格(gh-)和曝光区(shot)。网格套刻(grid o跎day)是由光刻机硅平台的精确移动来决定的;而曝光区的套刻是由掩膜版本身的控制精度以及镜头放大率和像差控制来决定的。网格套刻的4个参量及其在硅片套刻上的表现如图7.42所示。

      

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