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以下流程的采用可以大幅度的降低缺陷的产生

发布时间:2017/10/25 21:10:59 访问次数:505

   实践显示,以下流程的采用可以大幅度的降低缺陷的产生。

   (1)光刻胶本身必须洁净并且不含颗粒性物质。涂胶前必须使用过滤过程,而且过T-7571-3EC-TR器上的滤孔大小必须满足技术节点的要求。

   (2)光刻胶本身必须不含被混人的空气,因为气泡会导致成像缺陷。气泡同颗粒的表现类似。

   (3)涂胶碗的设计必须从结构上防止被甩出去的光刻胶的回溅。

   (4)输送光刻胶的泵运系统必须设计成在每次输送完光刻胶后能够回吸。回吸的作用是将喷口多余的光刻胶吸回管路,以避免多余的光刻胶滴在硅片上或者多余的光刻胶干涸后在下一次输送时产生颗粒性缺陷。回吸动作应该可以调节,避免多余的空气进人管路。

   (5)硅片边缘去胶(Edge Bead Removal,EBR)使用的溶剂需要控制好。在硅片旋涂过程中,光刻胶由于受到离心力会流向硅片边缘和由硅片边缘流到硅片背面。在硅片边缘由于其表面张力会形成一圈圆珠型光刻胶残留,如图7.11所示。这种残留叫做边缘胶滴(edge bead),如果不去掉,这一圈胶滴干了后会剥离形成颗粒,并掉在硅片上、硅片输送工具上以及硅片处理设备中,造成缺陷率的升高。不仅如此,硅片背面的光刻胶残留会粘在硅片平台上(wafer chuck),造成硅片吸附不良,引起曝光离焦,套刻误差增大。通常光刻胶涂胶设备中装有边缘去胶装置E:]。通过在硅片边缘(上下各一个喷嘴,喷嘴距离硅片边缘位置可调)硅片的旋转来达到清除距离硅片边缘一定距离的光刻胶的功能。

   (6)经过仔细计算,发现大约90%~99%以上的光刻胶被旋出了硅片,因而被浪费了。


   实践显示,以下流程的采用可以大幅度的降低缺陷的产生。

   (1)光刻胶本身必须洁净并且不含颗粒性物质。涂胶前必须使用过滤过程,而且过T-7571-3EC-TR器上的滤孔大小必须满足技术节点的要求。

   (2)光刻胶本身必须不含被混人的空气,因为气泡会导致成像缺陷。气泡同颗粒的表现类似。

   (3)涂胶碗的设计必须从结构上防止被甩出去的光刻胶的回溅。

   (4)输送光刻胶的泵运系统必须设计成在每次输送完光刻胶后能够回吸。回吸的作用是将喷口多余的光刻胶吸回管路,以避免多余的光刻胶滴在硅片上或者多余的光刻胶干涸后在下一次输送时产生颗粒性缺陷。回吸动作应该可以调节,避免多余的空气进人管路。

   (5)硅片边缘去胶(Edge Bead Removal,EBR)使用的溶剂需要控制好。在硅片旋涂过程中,光刻胶由于受到离心力会流向硅片边缘和由硅片边缘流到硅片背面。在硅片边缘由于其表面张力会形成一圈圆珠型光刻胶残留,如图7.11所示。这种残留叫做边缘胶滴(edge bead),如果不去掉,这一圈胶滴干了后会剥离形成颗粒,并掉在硅片上、硅片输送工具上以及硅片处理设备中,造成缺陷率的升高。不仅如此,硅片背面的光刻胶残留会粘在硅片平台上(wafer chuck),造成硅片吸附不良,引起曝光离焦,套刻误差增大。通常光刻胶涂胶设备中装有边缘去胶装置E:]。通过在硅片边缘(上下各一个喷嘴,喷嘴距离硅片边缘位置可调)硅片的旋转来达到清除距离硅片边缘一定距离的光刻胶的功能。

   (6)经过仔细计算,发现大约90%~99%以上的光刻胶被旋出了硅片,因而被浪费了。


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