但是过量的反溅射必然会破坏沟槽和通孔的形貌,会导致粗糙的介质表面,随着介质OPA2348AIDR材料介电常数的降低,材料的孔隙率也呈逐渐增大的趋势,孔隙率越大,结构强度越低,对物理轰击的抵抗力就越小。以新一代的低介电常数介质材料为基础的后段I艺必然会严格控制反溅射的用量。当然也有人通过反溅射工艺参数的优化来加大对沟槽通孔结构的保护,主要是利用方向角分布较大的中性粒子来补充容易受到损伤的拐角位置,这样的调整一定程度上增加了反溅射制程的延伸性。

    随着互连线的尺寸进-步缩小,阻挡层在互连线电阻中的贡献越来越大,在保持薄膜阻挡性能的前提下降低阻挡层的厚度就成为一个很关键的问题。PVD的方法趋于极限,一些新的方法也逐渐完善。例如原子层沉积(Atom Layer Depositi°n,AI'D)阻挡层工艺,这种T艺与PVD相比具有极大的填洞优势,能够做到极好的侧壁覆盖。另外一方面AID能够形成很薄(10A左右)而且连续性很好的薄膜,这样可以增加铜线的有效截面积,减小铜线的电阻[151。但是ALD的方法还要面对一些工艺整合上的挑战,如和种子层之间黏附性的问题,沉积过程中气体往多孔介质材料中扩散的问题等[161。ALD究竟在何时取代PVD还要看ALD技术的完善以及PVD技术本身的发展。