除控制人射角之外,利用反溅射(离子轰击基底)的办法也可以提高侧壁覆盖。在等OPA2340EA/2K5 离子体环境中,晶圆表面是有负偏压的,通过电容耦合器件可大大增加鞘区电压。晶圆表面偏压对金属离子有调节入射方向的作用,但是如果偏压大到一定程度,人射到晶圆表面的离子能量就会超出晶圆表面物质的溅射阈值,起到对晶圆表面的溅射作用,一般 把这种对晶圆表面的溅射作用称作反溅射(re sptltter)。反溅射的实现有两个必要条件:

   靠近基底表面有充足的离子;②基底上加载足够的负偏压。反溅射可以让沉积在底部的金属转移到侧壁上,增加侧壁的覆盖率(见图6,26)。可以在沉积时保持一定的反溅射率,也可以在独立的制程步骤反溅射,要在独立的步骤实现反溅就需要一些独立的单元来维持反溅射需要的等离子体。具有独立反溅射功能的物理气相沉积(Advanced IonizedPhysical Vapor Deposition,AIPVD)能够大大降低 通孔电阻,提高连线的良率和稳定性「ll。当反溅射达到一定的量,通孔底部的阻挡层就会被打开。如果通孔底部被打通,少量的残留物和氧化铜在这个过程也会除去,这样的反溅射同时起到对通孔底部的清洁作用,在阻挡层沉积前的预清洁也可以省去,这种制程一般叫做阻挡层优先工艺(barⅡer hrst)"l。阻挡层优先的制程能够获得较低的通孔电阻,并且避免了预清洁制程带来的副作用。