受gap伍ll能力的限制,PVD TiN工艺只能用到0,25um,从0.18um开始采用MOCVD工艺,包含薄膜沉积和等离子处理(plasma treatment)两个步骤,可以多次循环。 OPA2228P

   沉积的基本反应是四二甲基胺钛(TDMAT)在一定温度和压力下分解,生成TiN。这时形成的TiN由于含有大量的杂质(碳和氧含量各约~90%),薄膜疏松且电阻率非常高,最高可达50000uΩ・cm。为了降低电阻率,会在原位进行plasma treatment,将杂质驱除。最后得到低阻、致密的TiN,电阻率会减小到300uΩ・cm。tre欲后的薄膜厚度会比treat前薄50%,薄膜也由无定形转变成多晶。Deposition和plasma treatment有时只有1个循环,有时要进行2个甚至3个循环。一般希望进行多次循环,每个循环内沉积的薄膜可以薄一些,可以将杂质去除得更彻底,缺点是生产率(Wafer Pcr Hour,WPH)低。

   对沉积步骤,最主要的反应因素是沉积温度。沉积时反应温度越高,沉积速率越高。对于CVD I艺,一般的规律是沉积速率越高,step∞verage越差。M(￡VD TiN反应温度对dc广rate和step∞verage的影响如图6,20所示。为了有较高的stcp∞【rage,反应温度就不能选得太高。而为了获得比较高的沉积速率,温度又不能太低,所以实际应用时普遍把温度选在380~450℃之间。